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參數資料
型號: GS816236BD-200
廠商: GSI TECHNOLOGY
元件分類: DRAM
英文描述: 1M x 18, 512K x 36 18MbS/DCD Sync Burst SRAMs
中文描述: 512K X 36 CACHE SRAM, 6.5 ns, PBGA165
封裝: FBGA-165
文件頁數: 16/37頁
文件大?。?/td> 866K
代理商: GS816236BD-200
DC Electrical Characteristics
Parameter
Input Leakage Current
(except mode pins)
Symbol
Test Conditions
Min
Max
I
IL
V
IN
= 0 to V
DD
1 uA
1 uA
ZZ Input Current
I
IN1
V
DD
V
IN
V
IH
0 V
V
IN
V
IH
V
DD
V
IN
V
IL
0 V
V
IN
V
IL
Output Disable, V
OUT
= 0 to V
DD
I
OH
=
8 mA, V
DDQ
= 2.375 V
I
OH
=
8 mA, V
DDQ
= 3.135 V
I
OL
= 8 mA
1 uA
1 uA
1 uA
100 uA
FT, SCD, ZQ Input Current
I
IN2
100 uA
1 uA
1 uA
1 uA
Output Leakage Current
I
OL
V
OH2
V
OH3
V
OL
1 uA
1 uA
Output High Voltage
1.7 V
Output High Voltage
2.4 V
Output Low Voltage
0.4 V
GS816218/36B(B/D)
Specifications cited are subject to change without notice. For latest documentation see http://www.gsitechnology.com.
Rev: 1.04 9/2005
16/37
2004, GSI Technology
相關PDF資料
PDF描述
GS816236BD-200I 1M x 18, 512K x 36 18MbS/DCD Sync Burst SRAMs
GS816236BD-250 1M x 18, 512K x 36 18MbS/DCD Sync Burst SRAMs
GS816236BD-250I 1M x 18, 512K x 36 18MbS/DCD Sync Burst SRAMs
GS816236BGB-150 1M x 18, 512K x 36 18MbS/DCD Sync Burst SRAMs
GS816236BGB-150I 1M x 18, 512K x 36 18MbS/DCD Sync Burst SRAMs
相關代理商/技術參數
參數描述
GS816236BD-200I 制造商:GSI Technology 功能描述:SRAM SYNC QUAD 2.5V/3.3V 18MBIT 512KX36 6.5NS/3NS 165FBGA - Trays
GS816236BD-225M 制造商:GSI Technology 功能描述:GS816236BD-225M - Trays
GS816236BD-250 制造商:GSI Technology 功能描述:SRAM SYNC QUAD 2.5V/3.3V 18MBIT 512KX36 5.5NS/2.5NS 165FBGA - Trays
GS816236BD-250I 制造商:GSI Technology 功能描述:SRAM SYNC QUAD 2.5V/3.3V 18MBIT 512KX36 5.5NS/2.5NS 165FBGA - Trays
GS816236BD-250IV 制造商:GSI Technology 功能描述:SRAM SYNC QUAD 2.5V/3.3V 18MBIT 512KX36 5.5NS/2.5NS 165FPBGA - Trays
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