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參數(shù)資料
型號(hào): GS816236D-133I
廠商: GSI TECHNOLOGY
元件分類(lèi): DRAM
英文描述: 1M x 18, 512K x 36, 256K x 72 18Mb Sync Burst SRAMs
中文描述: 512K X 36 CACHE SRAM, 8.5 ns, PBGA165
封裝: 13 X 15 MM, 1 MM PITCH, FBGA-165
文件頁(yè)數(shù): 19/41頁(yè)
文件大小: 980K
代理商: GS816236D-133I
Tex8adx6prsi hsseiiainaeNtRcmmne o NwDsg.
GS816218(B/D)/GS816236(B/D)/GS816272(C)
Specifications cited are subject to change without notice. For latest documentation see http://www.gsitechnology.com.
Rev: 2.17 11/2004
19/41
1999, GSI Technology
DC Electrical Characteristics
Parameter
Input Leakage Current
Symbol
Test Conditions
Min
Max
I
V
= 0 to V
1 uA
1 uA
ZZ Input Current
I
IN1
V
DD
V
IN
V
IH
0 V
V
IN
V
IH
V
DD
V
IN
V
IL
0 V
V
IN
V
IL
Output Disable, V
OUT
= 0 to V
DD
I
OH
=
8 mA, V
DDQ
= 2.375 V
I
OH
=
8 mA, V
DDQ
= 3.135 V
I
OL
= 8 mA
1 uA
1 uA
1 uA
100 uA
FT, SCD, ZQ Input Current
I
IN2
100 uA
1 uA
1 uA
1 uA
Output Leakage Current
I
OL
V
OH2
V
OH3
V
OL
1 uA
1 uA
Output High Voltage
1.7 V
Output High Voltage
2.4 V
Output Low Voltage
0.4 V
相關(guān)PDF資料
PDF描述
GS816236D-150 1M x 18, 512K x 36, 256K x 72 18Mb Sync Burst SRAMs
GS816236D-150I 1M x 18, 512K x 36, 256K x 72 18Mb Sync Burst SRAMs
GS816236D-166 1M x 18, 512K x 36, 256K x 72 18Mb Sync Burst SRAMs
GS816236D-166I 1M x 18, 512K x 36, 256K x 72 18Mb Sync Burst SRAMs
GS816236D-200 1M x 18, 512K x 36, 256K x 72 18Mb Sync Burst SRAMs
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
GS816236D-166I 制造商:GSI Technology 功能描述:512K X 36 CACHE SRAM, 7 ns, PBGA165
GS816236DB-150 制造商:GSI Technology 功能描述:119 BGA - Bulk
GS816236DB-150V 制造商:GSI Technology 功能描述:119 BGA - Bulk
GS816236DB-200 制造商:GSI Technology 功能描述:119 BGA - Bulk
GS816236DB-200I 制造商:GSI Technology 功能描述:119 BGA - Bulk
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