- 您現在的位置：買賣IC網 > PDF目錄385316 > GS816272CGC-250V (GSI TECHNOLOGY) 256K x 72 18Mb S/DCD Sync Burst SRAMs PDF資料下載
參數資料
| 型號： | GS816272CGC-250V |
| 廠商： | GSI TECHNOLOGY |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 256K x 72 18Mb S/DCD Sync Burst SRAMs |
| 中文描述： | 256K X 72 CACHE SRAM, 5.5 ns, PBGA209 |
| 封裝： | 14 X 22 MM, 1 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, BGA-209 |
| 文件頁數： | 16/29頁 |
| 文件大小： | 851K |
| 代理商： | GS816272CGC-250V |
第1頁第2頁第3頁第4頁第5頁第6頁第7頁第8頁第9頁第10頁第11頁第12頁第13頁第14頁第15頁當前第16頁第17頁第18頁第19頁第20頁第21頁第22頁第23頁第24頁第25頁第26頁第27頁第28頁第29頁
GS816272CC-xxxV
Preliminary
Specifications cited are subject to change without notice. For latest documentation see http://www.gsitechnology.com.
Rev: 1.02a 6/2006
16/29
2004, GSI Technology
Flow Through Mode Timing (SCD)
Begin
Read A
Cont
Cont
Write B
Read C
Read C+1 Read C+2 Read C+3 Read C
Cont
Deselect
tHZ
tKQX
tKQ
tLZ
tH
tS
tOHZ
tOE
tH
tS
tH
tS
tH
tS
tH
tS
tH
tS
tH
tS
tH
tS
tH
tS
ADSC initiated read
tS
tH
tS
tKC
tKL
tKH
A
B
C
Q(A)
D(B)
Q(C)
Q(C+1)
Q(C+2)
Q(C+3)
Q(C)
E2 and E3 only sampled with ADSC
Deselected with E1
Fixed High
CK
ADSP
ADSC
ADV
A0–An
GW
BW
Ba–Bd
E1
E2
E3
G
DQa–DQd
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| GS816272CGC-150I | 256K x 72 18Mb S/DCD Sync Burst SRAMs |
| GS816272CC | 256K x 72 18Mb S/DCD Sync Burst SRAMs |
| GS816272CC-150 | 256K x 72 18Mb S/DCD Sync Burst SRAMs |
| GS816272CC-150I | 256K x 72 18Mb S/DCD Sync Burst SRAMs |
| GS816272CC-200 | 256K x 72 18Mb S/DCD Sync Burst SRAMs |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| GS816272CGC-300 | 制造商:GSI Technology 功能描述:SRAM SYNC OCTAL 2.5V/3.3V 18MBIT 256KX72 5NS/2.8NS 209FBGA - Trays |
| GS816273C-133 | 制造商:GSI Technology 功能描述:SRAM SYNC OCTAL 2.5V/3.3V 18MBIT 256KX72 3.5NS 209FBGA - Trays |
| GS816273C-133I | 制造商:GSI Technology 功能描述:SRAM SYNC OCTAL 2.5V/3.3V 18MBIT 256KX72 3.5NS 209FBGA - Trays |
| GS816273C-150 | 制造商:GSI Technology 功能描述:SRAM SYNC OCTAL 2.5V/3.3V 18MBIT 256KX72 3.3NS 209FBGA - Trays |
| GS816273C-150I | 制造商:GSI Technology 功能描述:SRAM SYNC OCTAL 2.5V/3.3V 18MBIT 256KX72 3.3NS 209FBGA - Trays |
發布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。