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參數資料
| 型號： | GS816272CGC-333I |
| 廠商： | GSI TECHNOLOGY |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 256K x 72 18Mb S/DCD Sync Burst SRAMs |
| 中文描述： | 256K X 72 CACHE SRAM, 4.5 ns, PBGA209 |
| 封裝： | 14 X 22 MM, 1 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, BGA-209 |
| 文件頁數： | 13/31頁 |
| 文件大小： | 678K |
| 代理商： | GS816272CGC-333I |
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GS816272CC-333/300/250/200/150
Preliminary
Specifications cited are subject to change without notice. For latest documentation see http://www.gsitechnology.com.
Rev: 1.01 2/2005
13/31
2004, GSI Technology
DC Electrical Characteristics
Parameter
Input Leakage Current
(except mode pins)
Symbol
Test Conditions
Min
Max
I
IL
V
IN
= 0 to V
DD
–
1 uA
1 uA
ZZ Input Current
I
IN1
V
DD
≥
V
IN
≥
V
IH
0 V
≤
V
IN
≤
V
IH
V
DD
≥
V
IN
≥
V
IL
0 V
≤
V
IN
≤
V
IL
Output Disable, V
OUT
= 0 to V
DD
I
OH
=
–
8 mA, V
DDQ
= 2.375 V
I
OH
=
–
8 mA, V
DDQ
= 3.135 V
I
OL
= 8 mA
–
1 uA
–
1 uA
1 uA
100 uA
FT, SCD, ZQ Input Current
I
IN2
–
100 uA
–
1 uA
1 uA
1 uA
Output Leakage Current
I
OL
V
OH2
V
OH3
V
OL
–
1 uA
1 uA
Output High Voltage
1.7 V
—
Output High Voltage
2.4 V
—
Output Low Voltage
—
0.4 V
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| GS816272C | 256K x 72 18Mb Sync Burst SRAMs |
| GS8170LW72C-333I | 18Mb sigma 1x1Lp CMOS I/O Late Write SigmaRAM |
| GS8170LW36C-333I | 18Mb sigma 1x1Lp CMOS I/O Late Write SigmaRAM |
| GS8170LW36 | Low-Noise Operational Amplifier 8-PDIP -40 to 85 |
| GS8170LW36C-200 | Low-Noise Operational Amplifier 8-PDIP -40 to 85 |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| GS816273C-133 | 制造商:GSI Technology 功能描述:SRAM SYNC OCTAL 2.5V/3.3V 18MBIT 256KX72 3.5NS 209FBGA - Trays |
| GS816273C-133I | 制造商:GSI Technology 功能描述:SRAM SYNC OCTAL 2.5V/3.3V 18MBIT 256KX72 3.5NS 209FBGA - Trays |
| GS816273C-150 | 制造商:GSI Technology 功能描述:SRAM SYNC OCTAL 2.5V/3.3V 18MBIT 256KX72 3.3NS 209FBGA - Trays |
| GS816273C-150I | 制造商:GSI Technology 功能描述:SRAM SYNC OCTAL 2.5V/3.3V 18MBIT 256KX72 3.3NS 209FBGA - Trays |
| GS816273C-166 | 制造商:GSI Technology 功能描述:SRAM SYNC OCTAL 2.5V/3.3V 18MBIT 256KX72 2.9NS 209FBGA - Trays |
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