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參數資料
| 型號： | GS832136E-225IV |
| 廠商： | GSI TECHNOLOGY |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 2M x 18, 1M x 32, 1M x 36 36Mb Sync Burst SRAMs |
| 中文描述： | 1M X 36 CACHE SRAM, 6 ns, PBGA165 |
| 封裝： | 15 X 17 MM, 1 MM PITCH, FPBGA-165 |
| 文件頁數： | 26/31頁 |
| 文件大小： | 745K |
| 代理商： | GS832136E-225IV |
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GS832118/32/36E-xxxV
Specifications cited are subject to change without notice. For latest documentation see http://www.gsitechnology.com.
Rev: 1.04 6/2006
26/31
2003, GSI Technology
JTAG Port Timing Diagram
tTH
tTS
tTKQ
tTH
tTS
tTH
tTS
tTKL
tTKH
tTKC
TCK
TDI
TMS
TDO
Parallel SRAM input
JTAG Port AC Electrical Characteristics
Parameter
Symbol
Min
Max
Unit
TCK Cycle Time
tTKC
50
—
ns
TCK Low to TDO Valid
tTKQ
—
20
ns
TCK High Pulse Width
tTKH
20
—
ns
TCK Low Pulse Width
tTKL
20
—
ns
TDI & TMS Set Up Time
tTS
10
—
ns
TDI & TMS Hold Time
tTH
10
—
ns
Boundary Scan (BSDL Files)
For information regarding the Boundary Scan Chain, or to obtain BSDL files for this part, please contact our Applications
Engineering Department at: apps@gsitechnology.com.
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| GS832136E-225V | 2M x 18, 1M x 32, 1M x 36 36Mb Sync Burst SRAMs |
| GS832136E-250IV | 2M x 18, 1M x 32, 1M x 36 36Mb Sync Burst SRAMs |
| GS832136E-250V | 2M x 18, 1M x 32, 1M x 36 36Mb Sync Burst SRAMs |
| GS832136GE-133IV | 2M x 18, 1M x 32, 1M x 36 36Mb Sync Burst SRAMs |
| GS832136GE-133V | 2M x 18, 1M x 32, 1M x 36 36Mb Sync Burst SRAMs |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| GS832136E-225V | 制造商:GSI Technology 功能描述:SRAM SYNC QUAD 1.8V/2.5V 36MBIT 1MX36 6NS/3NS 165FPBGA - Trays |
| GS832136E-250 | 制造商:GSI Technology 功能描述:SRAM SYNC QUAD 2.5V/3.3V 36MBIT 1MX36 5.5NS/2.5NS 165FBGA - Trays |
| GS832136E-250I | 制造商:GSI Technology 功能描述:SRAM SYNC QUAD 2.5V/3.3V 36MBIT 1MX36 5.5NS/2.5NS 165FBGA - Trays |
| GS832136E-250IV | 制造商:GSI Technology 功能描述:SRAM SYNC QUAD 1.8V/2.5V 36MBIT 1MX36 5.5NS/3NS 165FPBGA - Trays |
| GS832136E-250V | 制造商:GSI Technology 功能描述:SRAM SYNC QUAD 1.8V/2.5V 36MBIT 1MX36 5.5NS/3NS 165FPBGA - Trays |
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