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參數資料
| 型號： | GS8322V18B-200I |
| 廠商： | GSI TECHNOLOGY |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 2M x 18, 1M x 36, 512K x 72 36Mb S/DCD Sync Burst SRAMs |
| 中文描述： | 2M X 18 CACHE SRAM, 7.5 ns, PBGA119 |
| 封裝： | 14 X 22 MM, 1.27 MM PITCH, FPBGA-119 |
| 文件頁數： | 32/42頁 |
| 文件大小： | 1038K |
| 代理商： | GS8322V18B-200I |
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JTAG Port Recommended Operating Conditions and DC Characteristics
Parameter
Symbol
V
IHJ
V
ILJ
I
INHJ
I
INLJ
I
OLJ
V
OHJ
V
OLJ
V
OHJC
V
OLJC
Min.
0.6 * V
DD
Max.
V
DD
+0.3
0.3 * V
DD
Unit Notes
1.8 V Test Port Input High Voltage
V
1
1.8 V Test Port Input Low Voltage
–
0.3
V
1
TMS, TCK and TDI Input Leakage Current
–
300
1
uA
2
TMS, TCK and TDI Input Leakage Current
–
1
100
uA
3
TDO Output Leakage Current
–
1
1
uA
4
Test Port Output High Voltage
1.7
—
V
5, 6
Test Port Output Low Voltage
—
0.4
V
5, 7
Test Port Output CMOS High
V
DDQ
– 100 mV
—
V
5, 8
Test Port Output CMOS Low
—
100 mV
V
5, 9
Notes:
1.
2.
3.
4.
5.
6.
7.
8.
9.
Input Under/overshoot voltage must be
–
2 V > Vi < V
DDn
+2 V not to exceed 3.6 V maximum, with a pulse width not to exceed 20% tTKC.
V
ILJ
≤
V
IN
≤
V
DDn
0 V
≤
V
IN
≤
V
ILJn
Output Disable, V
OUT
= 0 to V
DDn
The TDO output driver is served by the V
DDQ
supply.
I
OHJ
=
–
4 mA
I
OLJ
= + 4 mA
I
OHJC
= –100 uA
I
OHJC
= +100 uA
Preliminary
GS8322V18(B/E)/GS8322V36(B/E)/GS8322V72(C)
Specifications cited are subject to change without notice. For latest documentation see http://www.gsitechnology.com.
Rev: 1.04 4/2005
32/42
2003, GSI Technology
JTAG Port AC Test Conditions
Notes:
1.
2.
Include scope and jig capacitance.
Test conditions as as shown unless otherwise noted.
Parameter
Conditions
V
DD
– 0.2 V
0.2 V
1 V/ns
V
DDQ
/2
V
DDQ
/2
Input high level
Input low level
Input slew rate
Input reference level
Output reference level
DQ
V
DDQ
/2
50
30pF
*
JTAG Port AC Test Load
* Distributed Test Jig Capacitance
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PDF描述 |
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