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參數資料
型號: GS8322V18B-250
廠商: GSI TECHNOLOGY
元件分類: DRAM
英文描述: 2M x 18, 1M x 36, 512K x 72 36Mb S/DCD Sync Burst SRAMs
中文描述: 2M X 18 CACHE SRAM, 6.5 ns, PBGA119
封裝: 14 X 22 MM, 1.27 MM PITCH, FPBGA-119
文件頁數: 4/42頁
文件大小: 1038K
代理商: GS8322V18B-250
Preliminary
GS8322V18(B/E)/GS8322V36(B/E)/GS8322V72(C)
Specifications cited are subject to change without notice. For latest documentation see http://www.gsitechnology.com.
Rev: 1.04 4/2005
4/42
2003, GSI Technology
V
DD
I
Core power supply
V
SS
I
I/O and Core Ground
V
DDQ
I
Output driver power supply
GS8322V72 209-Bump BGA Pin Description (Continued)
Symbol
Type
Description
相關PDF資料
PDF描述
GS8322V18B-250I 2M x 18, 1M x 36, 512K x 72 36Mb S/DCD Sync Burst SRAMs
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GS8322V18E-133I 2M x 18, 1M x 36, 512K x 72 36Mb S/DCD Sync Burst SRAMs
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相關代理商/技術參數
參數描述
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GS8322V72C-150I 制造商:GSI Technology 功能描述:SRAM SYNC OCTAL 1.8V 36MBIT 512KX72 8.5NS/3.8NS 209FBGA - Trays
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