- 您現在的位置：買賣IC網 > PDF目錄385319 > GS8322V18E-166 (GSI TECHNOLOGY) 2M x 18, 1M x 36, 512K x 72 36Mb S/DCD Sync Burst SRAMs PDF資料下載
參數資料
| 型號： | GS8322V18E-166 |
| 廠商： | GSI TECHNOLOGY |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 2M x 18, 1M x 36, 512K x 72 36Mb S/DCD Sync Burst SRAMs |
| 中文描述： | 2M X 18 CACHE SRAM, 8 ns, PBGA165 |
| 封裝： | 15 X 17 MM, 1 MM PITCH, FPBGA-165 |
| 文件頁數： | 19/42頁 |
| 文件大小： | 1038K |
| 代理商： | GS8322V18E-166 |
第1頁第2頁第3頁第4頁第5頁第6頁第7頁第8頁第9頁第10頁第11頁第12頁第13頁第14頁第15頁第16頁第17頁第18頁當前第19頁第20頁第21頁第22頁第23頁第24頁第25頁第26頁第27頁第28頁第29頁第30頁第31頁第32頁第33頁第34頁第35頁第36頁第37頁第38頁第39頁第40頁第41頁第42頁
AC Test Conditions
Parameter
Conditions
V
DD
– 0.2 V
0.2 V
1 V/ns
V
DD
/2
V
DDQ
/2
Fig. 1
Input high level
Input low level
Input slew rate
Input reference level
Output reference level
Output load
Notes:
1.
2.
Include scope and jig capacitance.
Test conditions as specified with output loading as shown in
Fig. 1
unless otherwise noted.
Device is deselected as defined by the Truth Table.
3.
Preliminary
GS8322V18(B/E)/GS8322V36(B/E)/GS8322V72(C)
Specifications cited are subject to change without notice. For latest documentation see http://www.gsitechnology.com.
Rev: 1.04 4/2005
19/42
2003, GSI Technology
DQ
V
DDQ/2
50
30pF
*
Output Load 1
* Distributed Test Jig Capacitance
DC Electrical Characteristics
Parameter
Input Leakage Current
(except mode pins)
Symbol
Test Conditions
Min
Max
I
IL
V
IN
= 0 to V
DD
–
1 uA
1 uA
ZZ Input Current
I
IN1
V
DD
≥
V
IN
≥
V
IH
0 V
≤
V
IN
≤
V
IH
V
DD
≥
V
IN
≥
V
IL
0 V
≤
V
IN
≤
V
IL
Output Disable, V
OUT
= 0 to V
DD
I
OH
=
–
4 mA, V
DDQ
= 1.6 V
I
OL
= 4 mA, V
DD
= 1.6 V
–
1 uA
–
1 uA
1 uA
100 uA
FT, SCD, and ZQ Input Current
I
IN2
–
100 uA
–
1 uA
1 uA
1 uA
Output Leakage Current
I
OL
V
OH1
V
OL1
–
1 uA
1 uA
Output High Voltage
V
DDQ
– 0.4 V
—
Output Low Voltage
—
0.4 V
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| GS8322V18E-166I | 2M x 18, 1M x 36, 512K x 72 36Mb S/DCD Sync Burst SRAMs |
| GS8322V18E-200 | 2M x 18, 1M x 36, 512K x 72 36Mb S/DCD Sync Burst SRAMs |
| GS8322V18E-200I | 2M x 18, 1M x 36, 512K x 72 36Mb S/DCD Sync Burst SRAMs |
| GS8322V18E-225 | 2M x 18, 1M x 36, 512K x 72 36Mb S/DCD Sync Burst SRAMs |
| GS8322V18E-225I | 2M x 18, 1M x 36, 512K x 72 36Mb S/DCD Sync Burst SRAMs |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| GS8322V72C-133 | 制造商:GSI Technology 功能描述:SRAM SYNC OCTAL 1.8V 36MBIT 512KX72 8.5NS/4NS 209FBGA - Trays |
| GS8322V72C-133I | 制造商:GSI Technology 功能描述:SRAM SYNC OCTAL 1.8V 36MBIT 512KX72 8.5NS/4NS 209FBGA - Trays |
| GS8322V72C-150 | 制造商:GSI Technology 功能描述:SRAM SYNC OCTAL 1.8V 36MBIT 512KX72 8.5NS/3.8NS 209FBGA - Trays |
| GS8322V72C-150I | 制造商:GSI Technology 功能描述:SRAM SYNC OCTAL 1.8V 36MBIT 512KX72 8.5NS/3.8NS 209FBGA - Trays |
| GS8322V72C-166 | 制造商:GSI Technology 功能描述:SRAM SYNC OCTAL 1.8V 36MBIT 512KX72 8NS/3.5NS 209FBGA - Trays |
發布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。