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參數(shù)資料
型號(hào): GS8322V18E-200
廠(chǎng)商: GSI TECHNOLOGY
元件分類(lèi): DRAM
英文描述: 2M x 18, 1M x 36, 512K x 72 36Mb S/DCD Sync Burst SRAMs
中文描述: 2M X 18 CACHE SRAM, 7.5 ns, PBGA165
封裝: 15 X 17 MM, 1 MM PITCH, FPBGA-165
文件頁(yè)數(shù): 34/42頁(yè)
文件大小: 1038K
代理商: GS8322V18E-200
Preliminary
GS8322V18(B/E)/GS8322V36(B/E)/GS8322V72(C)
Specifications cited are subject to change without notice. For latest documentation see http://www.gsitechnology.com.
Rev: 1.04 4/2005
34/42
2003, GSI Technology
209 BGA Package Drawing (Package C)
14 mm x 22 mm Body, 1.0 mm Bump Pitch, 11 x 19 Bump Array
A
A1
C
b
e
e
E
E
D1
D
aaa
Bottom View
Side View
Symbol
Min
Typ
Max
Units
Symbol
Min
Typ
Max
Units
A
1.70
mm
D1
18.0 (BSC)
mm
A1
0.40
0.50
0.60
mm
E
13.9
14.0
14.1
mm
b
0.50
0.60
0.70
mm
E1
10.0 (BSC)
mm
c
0.31
0.36
0.38
mm
e
1.00 (BSC)
mm
D
21.9
22.0
22.1
mm
aaa
0.15
mm
Rev 1.0
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PDF描述
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