- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄385320 > GS8322V36GE-150I (GSI TECHNOLOGY) 2M x 18, 1M x 36, 512K x 72 36Mb S/DCD Sync Burst SRAMs PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號(hào)： | GS8322V36GE-150I |
| 廠商： | GSI TECHNOLOGY |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 2M x 18, 1M x 36, 512K x 72 36Mb S/DCD Sync Burst SRAMs |
| 中文描述： | 1M X 36 CACHE SRAM, 8.5 ns, PBGA165 |
| 封裝： | 15 X 17 MM, 1 MM PITCH, LEAD FREE, FPBGA-165 |
| 文件頁數(shù)： | 18/42頁 |
| 文件大小： | 1038K |
| 代理商： | GS8322V36GE-150I |
第1頁第2頁第3頁第4頁第5頁第6頁第7頁第8頁第9頁第10頁第11頁第12頁第13頁第14頁第15頁第16頁第17頁當(dāng)前第18頁第19頁第20頁第21頁第22頁第23頁第24頁第25頁第26頁第27頁第28頁第29頁第30頁第31頁第32頁第33頁第34頁第35頁第36頁第37頁第38頁第39頁第40頁第41頁第42頁
Preliminary
GS8322V18(B/E)/GS8322V36(B/E)/GS8322V72(C)
Specifications cited are subject to change without notice. For latest documentation see http://www.gsitechnology.com.
Rev: 1.04 4/2005
18/42
2003, GSI Technology
Logic Levels
Parameter
Symbol
Min.
Typ.
Max.
Unit
Notes
V
DD
Input High Voltage
V
IH
0.6*V
DD
—
V
DD
+ 0.3
V
1
V
DD
Input Low Voltage
V
IL
–
0.3
—
0.3*V
DD
V
1
V
DDQ
I/O Input High Voltage
V
IHQ
0.6*V
DD
—
V
DDQ
+ 0.3
V
1,3
V
DDQ
I/O Input Low Voltage
V
ILQ
–
0.3
—
0.3*V
DD
V
1,3
Notes:
1.
The part numbers of Industrial Temperature Range versions end the character “I”. Unless otherwise noted, all performance specifica-
tions quoted are evaluated for worst case in the temperature range marked on the device.
Input Under/overshoot voltage must be
–
2 V > Vi < V
DDn
+2 V not to exceed 3.6 V maximum, with a pulse width not to exceed 20% tKC.
V
IHQ
(max) is voltage on V
DDQ
pins plus 0.3 V.
2.
3.
20% tKC
V
SS
–
2.0 V
50%
V
SS
V
IH
Undershoot Measurement and Timing
Overshoot Measurement and Timing
20% tKC
V
DD
+ 2.0 V
50%
V
DD
V
IL
Capacitance
(T
A
= 25
o
C, f = 1 MH
Z
, V
DD
Parameter
Symbol
C
IN
C
I/O
Test conditions
V
IN
= 0 V
V
OUT
= 0 V
Typ.
Max.
Unit
Input Capacitance
4
5
pF
Input/Output Capacitance
6
7
pF
Note:
These parameters are sample tested.
= 2.5 V)
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| GS8322V36GE-166 | 2M x 18, 1M x 36, 512K x 72 36Mb S/DCD Sync Burst SRAMs |
| GS8322V36GE-166I | 2M x 18, 1M x 36, 512K x 72 36Mb S/DCD Sync Burst SRAMs |
| GS8322V36GE-200 | 2M x 18, 1M x 36, 512K x 72 36Mb S/DCD Sync Burst SRAMs |
| GS8322V36GE-200I | 2M x 18, 1M x 36, 512K x 72 36Mb S/DCD Sync Burst SRAMs |
| GS8322V36GE-225 | 2M x 18, 1M x 36, 512K x 72 36Mb S/DCD Sync Burst SRAMs |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| GS8322V72C-133 | 制造商:GSI Technology 功能描述:SRAM SYNC OCTAL 1.8V 36MBIT 512KX72 8.5NS/4NS 209FBGA - Trays |
| GS8322V72C-133I | 制造商:GSI Technology 功能描述:SRAM SYNC OCTAL 1.8V 36MBIT 512KX72 8.5NS/4NS 209FBGA - Trays |
| GS8322V72C-150 | 制造商:GSI Technology 功能描述:SRAM SYNC OCTAL 1.8V 36MBIT 512KX72 8.5NS/3.8NS 209FBGA - Trays |
| GS8322V72C-150I | 制造商:GSI Technology 功能描述:SRAM SYNC OCTAL 1.8V 36MBIT 512KX72 8.5NS/3.8NS 209FBGA - Trays |
| GS8322V72C-166 | 制造商:GSI Technology 功能描述:SRAM SYNC OCTAL 1.8V 36MBIT 512KX72 8NS/3.5NS 209FBGA - Trays |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。