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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | GS8322V72GC-225 |
| 廠商： | GSI TECHNOLOGY |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 2M x 18, 1M x 36, 512K x 72 36Mb S/DCD Sync Burst SRAMs |
| 中文描述： | 512K X 72 CACHE SRAM, 7 ns, PBGA209 |
| 封裝： | 14 X 22 MM, 1 MM PITCH, LEAD FREE, BGA-209 |
| 文件頁數(shù)： | 2/42頁 |
| 文件大小： | 1038K |
| 代理商： | GS8322V72GC-225 |
第1頁當(dāng)前第2頁第3頁第4頁第5頁第6頁第7頁第8頁第9頁第10頁第11頁第12頁第13頁第14頁第15頁第16頁第17頁第18頁第19頁第20頁第21頁第22頁第23頁第24頁第25頁第26頁第27頁第28頁第29頁第30頁第31頁第32頁第33頁第34頁第35頁第36頁第37頁第38頁第39頁第40頁第41頁第42頁
Preliminary
GS8322V18(B/E)/GS8322V36(B/E)/GS8322V72(C)
Specifications cited are subject to change without notice. For latest documentation see http://www.gsitechnology.com.
Rev: 1.04 4/2005
2/42
2003, GSI Technology
209-Bump BGA—x72 Common I/O—Top View (Package C)
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11 x 19 Bump BGA—14 x 22 mm
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Body—1 mm Bump Pitch
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| GS8322V72GC-225I | 2M x 18, 1M x 36, 512K x 72 36Mb S/DCD Sync Burst SRAMs |
| GS8322V72GC-250 | 2M x 18, 1M x 36, 512K x 72 36Mb S/DCD Sync Burst SRAMs |
| GS8322V18B | 2M x 18, 1M x 36, 512K x 72 36Mb S/DCD Sync Burst SRAMs |
| GS8322V18B-133 | 2M x 18, 1M x 36, 512K x 72 36Mb S/DCD Sync Burst SRAMs |
| GS8322V18B-133I | 2M x 18, 1M x 36, 512K x 72 36Mb S/DCD Sync Burst SRAMs |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| GS8322V72GC-250 | 制造商:GSI Technology 功能描述:SRAM SYNC OCTAL 1.8V 36MBIT 512KX72 6.5NS/3NS 209FBGA - Trays |
| GS8322Z18AB-200I | 制造商:GSI Technology 功能描述:119 BGA - Bulk |
| GS8322Z18AB-200IV | 制造商:GSI Technology 功能描述:165 BGA - Bulk |
| GS8322Z18AB-200V | 制造商:GSI Technology 功能描述:165 BGA - Bulk |
| GS8322Z18AB-250 | 制造商:GSI Technology 功能描述:119 BGA - Bulk |
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