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參數資料
| 型號： | GS832418B-225I |
| 廠商： | GSI TECHNOLOGY |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 2M x 18, 1M x 36, 512K x 72 36Mb S/DCD Sync Burst SRAMs |
| 中文描述： | 2M X 18 CACHE SRAM, 6 ns, PBGA119 |
| 封裝： | 14 X 22 MM, 1.27 MM PITCH, BGA-119 |
| 文件頁數： | 22/46頁 |
| 文件大小： | 1149K |
| 代理商： | GS832418B-225I |
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Rev: 1.00 10/2001
Specifications cited are subject to change without notice. For latest documentation see http://www.gsitechnology.com.
22/46
2001, Giga Semiconductor, Inc.
Preliminary
GS832418(B/C)/GS832436(B/C)/GS832472(C)
AC Test Conditions
Parameter
Input high level
Input low level
Input slew rate
Input reference level
Output reference level
Output load
Conditions
2.3 V
0.2 V
1 V/ns
1.25 V
1.25 V
Fig. 1& 2
Notes:
1.
2.
Include scope and jig capacitance.
Test conditions as specified with output loading as shown in
Fig.
1
unless otherwise noted.
Output Load 2 for t
LZ
, t
HZ
, t
OLZ
and t
OHZ
Device is deselected as defined by the Truth Table.
3.
4.
DC Electrical Characteristics
Parameter
Input Leakage Current
(except mode pins)
Symbol
Test Conditions
Min
Max
I
IL
V
IN
= 0 to V
DD
–
2 uA
2 uA
ZZ and PE Input Current
I
IN1
V
DD
≥
V
IN
≥
V
IH
0 V
≤
V
IN
≤
V
IH
V
DD
≥
V
IN
≥
V
IL
0 V
≤
V
IN
≤
V
IL
Output Disable, V
OUT
= 0 to V
DD
Output Disable, V
OUT
= 0 to V
DD
I
OH
=
–
8 mA, V
DDQ
= 2.375 V
I
OH
=
–
8 mA, V
DDQ
= 3.135 V
I
OL
= 8 mA
–
1 uA
–
1 uA
1 uA
100 uA
FT, SCD, ZQ, DP Input Current
I
IN2
–
100 uA
–
1 uA
1 uA
1 uA
Output Leakage Current (x36/x72)
I
OL
I
OL
V
OH2
V
OH3
V
OL
–
1 uA
1 uA
Output Leakage Current (x18)
–
2 uA
2 uA
Output High Voltage
1.7 V
—
Output High Voltage
2.4 V
—
Output Low Voltage
—
0.4 V
DQ
VT = 1.25 V
50
30pF
*
DQ
2.5 V
Output Load 1
Output Load 2
225
225
5pF
*
* Distributed Test Jig Capacitance
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