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參數(shù)資料
型號: GS864018GT-200V
廠商: GSI TECHNOLOGY
元件分類: DRAM
英文描述: 4M x 18, 2M x 32, 2M x 36 72Mb Sync Burst SRAMs
中文描述: 4M X 18 CACHE SRAM, 7.5 ns, PQFP100
封裝: ROHS COMPLIANT, TQFP-100
文件頁數(shù): 17/23頁
文件大小: 603K
代理商: GS864018GT-200V
GS864018/32/36T-xxxV
Preliminary
Specifications cited are subject to change without notice. For latest documentation see http://www.gsitechnology.com.
Rev: 1.01 6/2006
17/23
2004, GSI Technology
Pipeline Mode Timing (SCD)
Begin
Read A
Cont
Cont
Deselect Write B
Read C
Read C+1 Read C+2 Read C+3 Cont
Deselect
tHZ
tKQX
tKQ
tLZ
tH
tS
tOHZ
Q(A)
tOE
tH
tS
tH
tS
tH
tS
tH
tS
tH
tS
tS
tH
tS
tH
tS
tH
tS
Burst Read
tKL
tKC
tKH
Single Write
Single Read
D(B)
Q(C)
Q(C+1)
Q(C+2)
Q(C+3)
A
B
C
Deselected with E1
E1 masks ADSP
E2 and E3 only sampled with ADSP and ADSC
ADSC initiated read
CK
ADSP
ADSC
ADV
A0–An
GW
BW
Ba–Bd
E1
E2
E3
G
DQa–DQd
相關(guān)PDF資料
PDF描述
GS864018GT-250IV 4M x 18, 2M x 32, 2M x 36 72Mb Sync Burst SRAMs
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參數(shù)描述
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