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參數資料
型號: GS864036T-250V
廠商: GSI TECHNOLOGY
元件分類: DRAM
英文描述: 4M x 18, 2M x 32, 2M x 36 72Mb Sync Burst SRAMs
中文描述: 2M X 36 CACHE SRAM, 6.5 ns, PQFP100
封裝: TQFP-100
文件頁數: 5/23頁
文件大小: 603K
代理商: GS864036T-250V
TQFP Pin Description
Symbol
A
0
, A
1
A
DQ
A
DQ
B
DQ
C
DQ
D
NC
BW
B
A
, B
B
B
C
, B
D
CK
GW
E
1
, E
3
E
2
G
ADV
ADSP, ADSC
ZZ
FT
LBO
V
DD
V
SS
V
DDQ
Type
I
I
Description
Address field LSBs and Address Counter preset Inputs
Address Inputs
I/O
Data Input and Output pins
No Connect
I
I
I
I
I
I
I
I
I
I
I
I
I
Byte Write
Writes all enabled bytes; active low
Byte Write Enable for DQ
A
, DQ
B
Data I/Os; active low
Byte Write Enable for DQ
C
, DQ
D
Data I/Os; active low
Clock Input Signal; active high
Global Write Enable
Writes all bytes; active low
Chip Enable; active low
Chip Enable; active high
Output Enable; active low
Burst address counter advance enable; active low
Address Strobe (Processor, Cache Controller); active low
Sleep Mode control; active high
Flow Through or Pipeline mode; active low
Linear Burst Order mode; active low
I
Core power supply
I
I/O and Core Ground
I
Output driver power supply
GS864018/32/36T-xxxV
Preliminary
Specifications cited are subject to change without notice. For latest documentation see http://www.gsitechnology.com.
Rev: 1.01 6/2006
5/23
2004, GSI Technology
相關PDF資料
PDF描述
GS8640E32GT-250V 4M x 18, 2M x 32, 2M x 36 72Mb Sync Burst SRAMs
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