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參數資料
型號: GS8640E18GT-250IV
廠商: GSI TECHNOLOGY
元件分類: DRAM
英文描述: 4M x 18, 2M x 32, 2M x 36 72Mb Sync Burst SRAMs
中文描述: 4M X 18 CACHE SRAM, 6.5 ns, PQFP100
封裝: ROHS COMPLIANT, TQFP-100
文件頁數: 6/23頁
文件大?。?/td> 601K
代理商: GS8640E18GT-250IV
GS8640E18/32/36T-xxxV
Preliminary
Specifications cited are subject to change without notice. For latest documentation see http://www.gsitechnology.com.
Rev: 1.01 6/2006
6/23
2004, GSI Technology
A1
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A0
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Control
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4
A
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DQx1
DQx9
Note: Only x36 version shown for simplicity.
DCD=
1
B
B
B
C
B
D
FT
GS8640E18/32/36-xxxV Block Diagram
相關PDF資料
PDF描述
GS8640E18GT-250V 4M x 18, 2M x 32, 2M x 36 72Mb Sync Burst SRAMs
GS8640E18T-167IV 4M x 18, 2M x 32, 2M x 36 72Mb Sync Burst SRAMs
GS8640E18T-167V 4M x 18, 2M x 32, 2M x 36 72Mb Sync Burst SRAMs
GS8640E18T-200IV 4M x 18, 2M x 32, 2M x 36 72Mb Sync Burst SRAMs
GS8640E18T-200V 4M x 18, 2M x 32, 2M x 36 72Mb Sync Burst SRAMs
相關代理商/技術參數
參數描述
GS8640E18GT-250V 制造商:GSI 制造商全稱:GSI Technology 功能描述:4M x 18, 2M x 32, 2M x 36 72Mb Sync Burst SRAMs
GS8640E18T-167IV 制造商:GSI 制造商全稱:GSI Technology 功能描述:4M x 18, 2M x 32, 2M x 36 72Mb Sync Burst SRAMs
GS8640E18T-167V 制造商:GSI 制造商全稱:GSI Technology 功能描述:4M x 18, 2M x 32, 2M x 36 72Mb Sync Burst SRAMs
GS8640E18T-200IV 制造商:GSI 制造商全稱:GSI Technology 功能描述:4M x 18, 2M x 32, 2M x 36 72Mb Sync Burst SRAMs
GS8640E18T-200V 制造商:GSI 制造商全稱:GSI Technology 功能描述:4M x 18, 2M x 32, 2M x 36 72Mb Sync Burst SRAMs
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