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參數(shù)資料
| 型號： | GS8640E18T-200V |
| 廠商： | GSI TECHNOLOGY |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 4M x 18, 2M x 32, 2M x 36 72Mb Sync Burst SRAMs |
| 中文描述： | 4M X 18 CACHE SRAM, 7.5 ns, PQFP100 |
| 封裝： | TQFP-100 |
| 文件頁數(shù)： | 23/23頁 |
| 文件大小： | 601K |
| 代理商： | GS8640E18T-200V |
72Mb Sync SRAM Datasheet Revision History
DS/DateRev. Code: Old;
New
Types of Changes
Format or Content
Page;Revisions;Reason
8640EVxx_r1
Creation of new datasheet
8640EVxx_r1;
8640Exx_V_r_01
Content
Updated entire document to reflect new part nomenclature
Removed 300 MHz speed bin
GS8640E18/32/36T-xxxV
Preliminary
Specifications cited are subject to change without notice. For latest documentation see http://www.gsitechnology.com.
Rev: 1.01 6/2006
23/23
2004, GSI Technology
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| GS8640E18T-250IV | 4M x 18, 2M x 32, 2M x 36 72Mb Sync Burst SRAMs |
| GS8640E18T-250V | 4M x 18, 2M x 32, 2M x 36 72Mb Sync Burst SRAMs |
| GS8640E18T-V | 4M x 18, 2M x 32, 2M x 36 72Mb Sync Burst SRAMs |
| GS8640E32GT-167IV | 4M x 18, 2M x 32, 2M x 36 72Mb Sync Burst SRAMs |
| GS8640E32GT-167V | 4M x 18, 2M x 32, 2M x 36 72Mb Sync Burst SRAMs |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| GS8640E18T-250IV | 制造商:GSI 制造商全稱:GSI Technology 功能描述:4M x 18, 2M x 32, 2M x 36 72Mb Sync Burst SRAMs |
| GS8640E18T-250V | 制造商:GSI 制造商全稱:GSI Technology 功能描述:4M x 18, 2M x 32, 2M x 36 72Mb Sync Burst SRAMs |
| GS8640E18T-V | 制造商:GSI 制造商全稱:GSI Technology 功能描述:4M x 18, 2M x 32, 2M x 36 72Mb Sync Burst SRAMs |
| GS8640E32GT-167IV | 制造商:GSI 制造商全稱:GSI Technology 功能描述:4M x 18, 2M x 32, 2M x 36 72Mb Sync Burst SRAMs |
| GS8640E32GT-167V | 制造商:GSI 制造商全稱:GSI Technology 功能描述:4M x 18, 2M x 32, 2M x 36 72Mb Sync Burst SRAMs |
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