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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | GS8640E18T-250IV |
| 廠商： | GSI TECHNOLOGY |
| 元件分類(lèi)： | DRAM |
| 英文描述： | 4M x 18, 2M x 32, 2M x 36 72Mb Sync Burst SRAMs |
| 中文描述： | 4M X 18 CACHE SRAM, 6.5 ns, PQFP100 |
| 封裝： | TQFP-100 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 4/23頁(yè) |
| 文件大小： | 601K |
| 代理商： | GS8640E18T-250IV |
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2M x 36
Top View
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GS8640E18/32/36T-xxxV
Preliminary
Specifications cited are subject to change without notice. For latest documentation see http://www.gsitechnology.com.
Rev: 1.01 6/2006
4/23
2004, GSI Technology
GS8640E36-xxxV 100-Pin TQFP Pinout (Package T)
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| GS8640E18T-250V | 4M x 18, 2M x 32, 2M x 36 72Mb Sync Burst SRAMs |
| GS8640E18T-V | 4M x 18, 2M x 32, 2M x 36 72Mb Sync Burst SRAMs |
| GS8640E32GT-167IV | 4M x 18, 2M x 32, 2M x 36 72Mb Sync Burst SRAMs |
| GS8640E32GT-167V | 4M x 18, 2M x 32, 2M x 36 72Mb Sync Burst SRAMs |
| GS8640E32GT-200IV | 4M x 18, 2M x 32, 2M x 36 72Mb Sync Burst SRAMs |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| GS8640E18T-250V | 制造商:GSI 制造商全稱(chēng):GSI Technology 功能描述:4M x 18, 2M x 32, 2M x 36 72Mb Sync Burst SRAMs |
| GS8640E18T-V | 制造商:GSI 制造商全稱(chēng):GSI Technology 功能描述:4M x 18, 2M x 32, 2M x 36 72Mb Sync Burst SRAMs |
| GS8640E32GT-167IV | 制造商:GSI 制造商全稱(chēng):GSI Technology 功能描述:4M x 18, 2M x 32, 2M x 36 72Mb Sync Burst SRAMs |
| GS8640E32GT-167V | 制造商:GSI 制造商全稱(chēng):GSI Technology 功能描述:4M x 18, 2M x 32, 2M x 36 72Mb Sync Burst SRAMs |
| GS8640E32GT-200IV | 制造商:GSI 制造商全稱(chēng):GSI Technology 功能描述:4M x 18, 2M x 32, 2M x 36 72Mb Sync Burst SRAMs |
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