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參數(shù)資料
| 型號： | GS8640E32GT-200V |
| 廠商： | GSI TECHNOLOGY |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 4M x 18, 2M x 32, 2M x 36 72Mb Sync Burst SRAMs |
| 中文描述： | 2M X 32 CACHE SRAM, 7.5 ns, PQFP100 |
| 封裝： | ROHS COMPLIANT, TQFP-100 |
| 文件頁數(shù)： | 6/23頁 |
| 文件大小： | 601K |
| 代理商： | GS8640E32GT-200V |
GS8640E18/32/36T-xxxV
Preliminary
Specifications cited are subject to change without notice. For latest documentation see http://www.gsitechnology.com.
Rev: 1.01 6/2006
6/23
2004, GSI Technology
A1
A0
A0
A1
D0
D1
Q1
Q0
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D
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D
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–
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BW
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1
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2
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3
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ZZ
Power Down
Control
Memory
Array
36
36
4
A
Q
D
DQx1
–
DQx9
Note: Only x36 version shown for simplicity.
DCD=
1
B
B
B
C
B
D
FT
GS8640E18/32/36-xxxV Block Diagram
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
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| GS8640E32T-167V | 4M x 18, 2M x 32, 2M x 36 72Mb Sync Burst SRAMs |
| GS8640V18T-250 | 4M x 18, 2M x 32, 2M x 36 72Mb Sync Burst SRAMs |
| GS8640V18GT-167 | 4M x 18, 2M x 32, 2M x 36 72Mb Sync Burst SRAMs |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| GS8640E32GT-250IV | 制造商:GSI 制造商全稱:GSI Technology 功能描述:4M x 18, 2M x 32, 2M x 36 72Mb Sync Burst SRAMs |
| GS8640E32GT-250V | 制造商:GSI 制造商全稱:GSI Technology 功能描述:4M x 18, 2M x 32, 2M x 36 72Mb Sync Burst SRAMs |
| GS8640E32T-167IV | 制造商:GSI 制造商全稱:GSI Technology 功能描述:4M x 18, 2M x 32, 2M x 36 72Mb Sync Burst SRAMs |
| GS8640E32T-167V | 制造商:GSI 制造商全稱:GSI Technology 功能描述:4M x 18, 2M x 32, 2M x 36 72Mb Sync Burst SRAMs |
| GS8640E32T-200IV | 制造商:GSI 制造商全稱:GSI Technology 功能描述:4M x 18, 2M x 32, 2M x 36 72Mb Sync Burst SRAMs |
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