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參數資料
| 型號： | GS8640E36T-200V |
| 廠商： | GSI TECHNOLOGY |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 4M x 18, 2M x 32, 2M x 36 72Mb Sync Burst SRAMs |
| 中文描述： | 2M X 36 CACHE SRAM, 7.5 ns, PQFP100 |
| 封裝： | TQFP-100 |
| 文件頁數： | 6/23頁 |
| 文件大?。?/td> | 601K |
| 代理商： | GS8640E36T-200V |
GS8640E18/32/36T-xxxV
Preliminary
Specifications cited are subject to change without notice. For latest documentation see http://www.gsitechnology.com.
Rev: 1.01 6/2006
6/23
2004, GSI Technology
A1
A0
A0
A1
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D1
Q1
Q0
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Control
Memory
Array
36
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4
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D
DQx1
–
DQx9
Note: Only x36 version shown for simplicity.
DCD=
1
B
B
B
C
B
D
FT
GS8640E18/32/36-xxxV Block Diagram
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| GS8640E36T-250IV | 4M x 18, 2M x 32, 2M x 36 72Mb Sync Burst SRAMs |
| GS8640E36T-250V | 4M x 18, 2M x 32, 2M x 36 72Mb Sync Burst SRAMs |
| GS8640E18GT-167IV | 4M x 18, 2M x 32, 2M x 36 72Mb Sync Burst SRAMs |
| GS8640E18GT-167V | 4M x 18, 2M x 32, 2M x 36 72Mb Sync Burst SRAMs |
| GS8640E18GT-200IV | 4M x 18, 2M x 32, 2M x 36 72Mb Sync Burst SRAMs |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| GS8640E36T-250IV | 制造商:GSI 制造商全稱:GSI Technology 功能描述:4M x 18, 2M x 32, 2M x 36 72Mb Sync Burst SRAMs |
| GS8640E36T-250V | 制造商:GSI 制造商全稱:GSI Technology 功能描述:4M x 18, 2M x 32, 2M x 36 72Mb Sync Burst SRAMs |
| GS8640EV18T-200 | 制造商:GSI Technology 功能描述:4M X 18 (72 MEG) SYNCH BURST DCD - Trays |
| GS8640EV18T-300 | 制造商:GSI Technology 功能描述:4M X 18 (72 MEG) SYNCH BURST DCD - Trays |
| GS8640EV18T-300I | 制造商:GSI Technology 功能描述:4M X 18 (72 MEG) SYNCH BURST DCD - Trays |
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