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參數(shù)資料
型號(hào)： GS864218B-167IV
廠商： GSI TECHNOLOGY
元件分類： DRAM
英文描述： 4M x 18, 2M x 36, 1M x 72 72Mb S/DCD Sync Burst SRAMs
中文描述： 4M X 18 CACHE SRAM, 8 ns, PBGA119
封裝： 14 X 22 MM, 1.27 MM PITCH, FPBGA-119
文件頁(yè)數(shù)： 15/35頁(yè)
文件大?。?/td> 934K
代理商： GS864218B-167IV
Preliminary
GS864218/36/72(B/C)-xxxV
Specifications cited are subject to change without notice. For latest documentation see http://www.gsitechnology.com.
Rev: 1.03 6/2006
15/35
2004, GSI Technology
V
DDQ2
& V
DDQ1
Range Logic Levels
Parameter
Symbol
Min.
Typ.
Max.
Unit
Notes
V
DD
Input High Voltage
V
IH
0.6*V
DD
—
V
DD
+ 0.3
V
1
V
DD
Input Low Voltage
V
IL
–
0.3
—
0.3*V
DD
V
1
Notes:
1.
The part numbers of Industrial Temperature Range versions end the character “I”. Unless otherwise noted, all performance specifica-
tions quoted are evaluated for worst case in the temperature range marked on the device.
Input Under/overshoot voltage must be
–
2 V > Vi < V
DDn
+2 V not to exceed 4.6 V maximum, with a pulse width not to exceed 20% tKC.
2.
Recommended Operating Temperatures
Parameter
Symbol
Min.
Typ.
Max.
Unit
Notes
Ambient Temperature (Commercial Range Versions)
T
A
0
25
70
°
C
2
Ambient Temperature (Industrial Range Versions)
T
A
–
40
25
85
°
C
2
Notes:
1.
The part numbers of Industrial Temperature Range versions end the character “I”. Unless otherwise noted, all performance specifica-
tions quoted are evaluated for worst case in the temperature range marked on the device.
Input Under/overshoot voltage must be
–
2 V > Vi < V
DDn
+2 V not to exceed 4.6 V maximum, with a pulse width not to exceed 20% tKC.
2.
20% tKC
V
SS
–
2.0 V
50%
V
SS
V
IH
Undershoot Measurement and Timing
Overshoot Measurement and Timing
20% tKC
V
DD
+ 2.0 V
50%
V
DD
V
IL
Capacitance
(T
A
= 25
o
C, f = 1 MH
Z
, V
DD
Parameter
Symbol
C
IN
C
I/O
Test conditions
V
IN
= 0 V
V
OUT
= 0 V
Typ.
Max.
Unit
Input Capacitance
4
5
pF
Input/Output Capacitance
6
7
pF
Note:
These parameters are sample tested.
= 2.5 V)
相關(guān)PDF資料
PDF描述
GS864236GB-167V 4M x 18, 2M x 36, 1M x 72 72Mb S/DCD Sync Burst SRAMs
GS864236GB-200IV 4M x 18, 2M x 36, 1M x 72 72Mb S/DCD Sync Burst SRAMs
GS864236GB-200V 4M x 18, 2M x 36, 1M x 72 72Mb S/DCD Sync Burst SRAMs
GS864236GB-250IV 4M x 18, 2M x 36, 1M x 72 72Mb S/DCD Sync Burst SRAMs
GS864236GB-250V 4M x 18, 2M x 36, 1M x 72 72Mb S/DCD Sync Burst SRAMs
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
GS864218B-167V 制造商:GSI Technology 功能描述:SRAM SYNC DUAL 1.8V/2.5V 72MBIT 4MX18 8NS/3.4NS 119FPBGA - Trays
GS864218B-200 制造商:GSI Technology 功能描述:SRAM SYNC DUAL 2.5V/3.3V 72MBIT 4MX18 7.5NS/3NS 119FBGA - Trays
GS864218B-200I 制造商:GSI Technology 功能描述:SRAM SYNC DUAL 2.5V/3.3V 72MBIT 4MX18 7.5NS/3NS 119FBGA - Trays
GS864218B-200IV 制造商:GSI Technology 功能描述:SRAM SYNC DUAL 1.8V/2.5V 72MBIT 4MX18 7.5NS/3NS 119FPBGA - Trays
GS864218B-200V 制造商:GSI Technology 功能描述:SRAM SYNC DUAL 1.8V/2.5V 72MBIT 4MX18 7.5NS/3NS 119FPBGA - Trays
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