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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | GS864272C-200V |
| 廠商： | GSI TECHNOLOGY |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 4M x 18, 2M x 36, 1M x 72 72Mb S/DCD Sync Burst SRAMs |
| 中文描述： | 1M X 72 CACHE SRAM, 7.5 ns, PBGA209 |
| 封裝： | 14 X 22 MM, 1 MM PITCH, BGA-209 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 10/35頁(yè) |
| 文件大小： | 934K |
| 代理商： | GS864272C-200V |
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Preliminary
GS864218/36/72(B/C)-xxxV
Specifications cited are subject to change without notice. For latest documentation see http://www.gsitechnology.com.
Rev: 1.03 6/2006
10/35
2004, GSI Technology
Byte Write Truth Table
Function
GW
BW
B
A
B
B
B
C
B
D
Notes
Read
H
H
X
X
X
X
1
Read
H
L
H
H
H
H
1
Write byte a
H
L
L
H
H
H
2, 3
Write byte b
H
L
H
L
H
H
2, 3
Write byte c
H
L
H
H
L
H
2, 3, 4
Write byte d
H
L
H
H
H
L
2, 3, 4
Write all bytes
H
L
L
L
L
L
2, 3, 4
Write all bytes
Notes:
1.
All byte outputs are active in read cycles regardless of the state of Byte Write Enable inputs.
2.
Byte Write Enable inputs B
A
, B
B
, B
C
, and/or B
D
may be used in any combination with BW to write single or multiple bytes.
3.
All byte I/Os remain High-Z during all write operations regardless of the state of Byte Write Enable inputs.
4.
Bytes “
C
” and “
D
” are only available on the x36 version.
L
X
X
X
X
X
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| GS864272C-250IV | 4M x 18, 2M x 36, 1M x 72 72Mb S/DCD Sync Burst SRAMs |
| GS864272C-250V | 4M x 18, 2M x 36, 1M x 72 72Mb S/DCD Sync Burst SRAMs |
| GS864272GC-167IV | 4M x 18, 2M x 36, 1M x 72 72Mb S/DCD Sync Burst SRAMs |
| GS864272GC-167V | 4M x 18, 2M x 36, 1M x 72 72Mb S/DCD Sync Burst SRAMs |
| GS864272GC-200IV | 4M x 18, 2M x 36, 1M x 72 72Mb S/DCD Sync Burst SRAMs |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
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| GS864272C-250M | 制造商:GSI Technology 功能描述:209 BGA - Bulk |
| GS864272C-250V | 制造商:GSI Technology 功能描述:SRAM SYNC DUAL 1.8V/2.5V 72MBIT 1MX72 6.5NS/3NS 209BGA - Bulk |
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