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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | GS864272GC-167V |
| 廠商： | GSI TECHNOLOGY |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 4M x 18, 2M x 36, 1M x 72 72Mb S/DCD Sync Burst SRAMs |
| 中文描述： | 1M X 72 CACHE SRAM, 8 ns, PBGA209 |
| 封裝： | 14 X 22 MM, 1 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, BGA-209 |
| 文件頁數(shù)： | 21/35頁 |
| 文件大?。?/td> | 934K |
| 代理商： | GS864272GC-167V |
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Preliminary
GS864218/36/72(B/C)-xxxV
Specifications cited are subject to change without notice. For latest documentation see http://www.gsitechnology.com.
Rev: 1.03 6/2006
21/35
2004, GSI Technology
Pipeline Mode Timing (DCD)
Begin
Read A
Cont
Deselect Deselect Write B
Read C
Read C+1Read C+2Read C+3Cont
Deselect Deselect
tHZ
tKQX
tKQ
tLZ
tH
tS
tOHZ
Q(A)
tOE
tH
tS
tH
tS
tH
tS
tH
tS
tH
tS
tS
tH
tS
tH
tS
tH
tS
tKC
tKL
tKH
D(B)
Q(C)
Q(C+1)
Q(C+2)
Q(C+3)
A
B
C
Hi-Z
Deselected with E1
E2 and E3 only sampled with ADSC
ADSC initiated read
CK
ADSP
ADSC
ADV
Ao–An
GW
BW
Ba–Bd
E1
E2
E3
G
DQa–DQd
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| GS864272GC-200IV | 4M x 18, 2M x 36, 1M x 72 72Mb S/DCD Sync Burst SRAMs |
| GS864272GC-200V | 4M x 18, 2M x 36, 1M x 72 72Mb S/DCD Sync Burst SRAMs |
| GS864272GC-250IV | 4M x 18, 2M x 36, 1M x 72 72Mb S/DCD Sync Burst SRAMs |
| GS864272GC-250V | 4M x 18, 2M x 36, 1M x 72 72Mb S/DCD Sync Burst SRAMs |
| GS864218B-167V | 4M x 18, 2M x 36, 1M x 72 72Mb S/DCD Sync Burst SRAMs |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| GS864272GC-200 | 制造商:GSI Technology 功能描述:SRAM SYNC OCTAL 2.5V/3.3V 72MBIT 1MX72 7.5NS/3NS 209FBGA - Trays |
| GS864272GC-200I | 制造商:GSI Technology 功能描述:SRAM SYNC OCTAL 2.5V/3.3V 72MBIT 1MX72 7.5NS/3NS 209FBGA - Trays |
| GS864272GC-200IV | 制造商:GSI Technology 功能描述:SRAM SYNC DUAL 1.8V/2.5V 72MBIT 1MX72 7.5NS/3NS 209BGA - Bulk |
| GS864272GC-200V | 制造商:GSI Technology 功能描述:SRAM SYNC DUAL 1.8V/2.5V 72MBIT 1MX72 7.5NS/3NS 209BGA - Bulk |
| GS864272GC-250 | 制造商:GSI Technology 功能描述:SRAM SYNC OCTAL 2.5V/3.3V 72MBIT 1MX72 6.5NS/3NS 209FBGA - Trays |
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