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參數資料
型號: GS864418E-150V
廠商: GSI TECHNOLOGY
元件分類: DRAM
英文描述: 4M x 18, 2M x 36 72Mb S/DCD Sync Burst SRAMs
中文描述: 4M X 18 CACHE SRAM, 7.5 ns, PBGA165
封裝: 15 X 17 MM, 1 MM PITCH, FPBGA-165
文件頁數: 2/32頁
文件大小: 811K
代理商: GS864418E-150V
Preliminary
GS864418/36E-xxxV
Specifications cited are subject to change without notice. For latest documentation see http://www.gsitechnology.com.
Rev: 1.05 6/2006
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2003, GSI Technology
165-Bump BGA—x18 Commom I/O—Top View (Package E)
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11 x 15 Bump BGA—15 mm x 17 mm Body—1.0 mm Bump Pitch
相關PDF資料
PDF描述
GS864418E-166 4M x 18, 2M x 36 72Mb S/DCD Sync Burst SRAMs
GS864418E-166I 4M x 18, 2M x 36 72Mb S/DCD Sync Burst SRAMs
GS864418E-166IV 4M x 18, 2M x 36 72Mb S/DCD Sync Burst SRAMs
GS864418E-166V 4M x 18, 2M x 36 72Mb S/DCD Sync Burst SRAMs
GS864418E-200 4M x 18, 2M x 36 72Mb S/DCD Sync Burst SRAMs
相關代理商/技術參數
參數描述
GS864418E-166 制造商:GSI Technology 功能描述:SRAM SYNC DUAL 2.5V/3.3V 72MBIT 4MX18 7NS/3.5NS 165FBGA - Trays
GS864418E-166I 制造商:GSI 制造商全稱:GSI Technology 功能描述:4M x 18, 2M x 36, 1M x 72 72Mb S/DCD Sync Burst SRAMs
GS864418E-166IV 制造商:GSI 制造商全稱:GSI Technology 功能描述:4M x 18, 2M x 36 72Mb S/DCD Sync Burst SRAMs
GS864418E-166V 制造商:GSI 制造商全稱:GSI Technology 功能描述:4M x 18, 2M x 36 72Mb S/DCD Sync Burst SRAMs
GS864418E-200 制造商:GSI 制造商全稱:GSI Technology 功能描述:4M x 18, 2M x 36 72Mb S/DCD Sync Burst SRAMs
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