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參數(shù)資料
型號(hào): GS864418E-225I
廠商: GSI TECHNOLOGY
元件分類(lèi): DRAM
英文描述: 4M x 18, 2M x 36 72Mb S/DCD Sync Burst SRAMs
中文描述: 4M X 18 CACHE SRAM, 6.5 ns, PBGA165
封裝: 15 X 17 MM, 1 MM PITCH, FPBGA-165
文件頁(yè)數(shù): 2/32頁(yè)
文件大小: 811K
代理商: GS864418E-225I
Preliminary
GS864418/36E-xxxV
Specifications cited are subject to change without notice. For latest documentation see http://www.gsitechnology.com.
Rev: 1.05 6/2006
2/32
2003, GSI Technology
165-Bump BGA—x18 Commom I/O—Top View (Package E)
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11 x 15 Bump BGA—15 mm x 17 mm Body—1.0 mm Bump Pitch
相關(guān)PDF資料
PDF描述
GS864418E-225IV 4M x 18, 2M x 36 72Mb S/DCD Sync Burst SRAMs
GS864418E-225V 4M x 18, 2M x 36 72Mb S/DCD Sync Burst SRAMs
GS864418E-250 4M x 18, 2M x 36 72Mb S/DCD Sync Burst SRAMs
GS864418E-250I 4M x 18, 2M x 36 72Mb S/DCD Sync Burst SRAMs
GS8644ZV36B-133 72Mb Pipelined and Flow Through Synchronous NBT SRAM
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
GS864418E-225IV 制造商:GSI 制造商全稱(chēng):GSI Technology 功能描述:4M x 18, 2M x 36 72Mb S/DCD Sync Burst SRAMs
GS864418E-225V 制造商:GSI 制造商全稱(chēng):GSI Technology 功能描述:4M x 18, 2M x 36 72Mb S/DCD Sync Burst SRAMs
GS864418E-250 制造商:GSI 制造商全稱(chēng):GSI Technology 功能描述:4M x 18, 2M x 36 72Mb S/DCD Sync Burst SRAMs
GS864418E-250I 制造商:GSI 制造商全稱(chēng):GSI Technology 功能描述:4M x 18, 2M x 36, 1M x 72 72Mb S/DCD Sync Burst SRAMs
GS864418E-250IV 制造商:GSI 制造商全稱(chēng):GSI Technology 功能描述:4M x 18, 2M x 36 72Mb S/DCD Sync Burst SRAMs
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