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參數(shù)資料
型號: GS8662D18E-250
廠商: GSI TECHNOLOGY
元件分類: DRAM
英文描述: 72Mb SigmaQuad-II Burst of 4 SRAM
中文描述: 4M X 18 DDR SRAM, 0.45 ns, PBGA165
封裝: 15 X 17 MM, 1 MM PITCH, FPBGA-165
文件頁數(shù): 20/29頁
文件大小: 896K
代理商: GS8662D18E-250
Capacitance
(T
A
= 25
o
C, f = 1 MH
Z
, V
DD
Parameter
Symbol
Test conditions
Typ.
Max.
Unit
Input Capacitance
C
IN
V
IN
= 0 V
4
5
pF
Output Capacitance
C
OUT
V
OUT
= 0 V
6
7
pF
Clock Capacitance
C
CLK
V
IN
= 0 V
5
6
pF
Note:
This parameter is sample tested.
Preliminary
GS8662D08/09/18/36E-333/300/250/200/167
Specifications cited are subject to change without notice. For latest documentation see http://www.gsitechnology.com.
Rev: 1.01a 2/2006
20/29
2005, GSI Technology
AC Test Conditions
Parameter
Conditions
Input high level
1.25 V
Input low level
0.25 V
Max. input slew rate
2 V/ns
Input reference level
0.75 V
Output reference level
V
DDQ
/2
Note:
Test conditions as specified with output loading as shown unless otherwise noted.
DQ
VT = V
DDQ
/2
50
RQ = 250
(HSTL I/O)
V
REF
= 0.75 V
AC Test Load Diagram
Input and Output Leakage Characteristics
Parameter
Symbol
Test Conditions
Min.
Max
Notes
Input Leakage Current
(except mode pins)
I
IL
V
IN
= 0 to V
DD
–2 uA
2 uA
Doff
I
INDOFF
V
DD
V
IN
V
IL
0 V
V
IN
V
IL
–2 uA
–2 uA
2 uA
2 uA
Output Leakage Current
I
OL
Output Disable,
V
OUT
= 0 to V
DDQ
–2 uA
2 uA
= 1.8 V)
相關(guān)PDF資料
PDF描述
GS8662D18E-250I 72Mb SigmaQuad-II Burst of 4 SRAM
GS8662D18E-300 72Mb SigmaQuad-II Burst of 4 SRAM
GS8662D18E-300I 72Mb SigmaQuad-II Burst of 4 SRAM
GS8662D18E-333 72Mb SigmaQuad-II Burst of 4 SRAM
GS8662D18E-333I 72Mb SigmaQuad-II Burst of 4 SRAM
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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GS8662D18E-300 制造商:GSI 制造商全稱:GSI Technology 功能描述:72Mb SigmaQuad-II Burst of 4 SRAM
GS8662D18E-300I 制造商:GSI Technology 功能描述:SRAM SYNC DUAL 1.8V 72MBIT 4MX18 0.45NS 165FBGA - Trays
GS8662D18E-333 制造商:GSI 制造商全稱:GSI Technology 功能描述:72Mb SigmaQuad-II Burst of 4 SRAM
GS8662D18E-333I 制造商:GSI 制造商全稱:GSI Technology 功能描述:72Mb SigmaQuad-II Burst of 4 SRAM
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