- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄385336 > GS8662R09GE-167I (GSI TECHNOLOGY) 72Mb SigmaCIO DDR-II Burst of 4 SRAM PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號(hào)： | GS8662R09GE-167I |
| 廠商： | GSI TECHNOLOGY |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 72Mb SigmaCIO DDR-II Burst of 4 SRAM |
| 中文描述： | 8M X 9 DDR SRAM, 0.5 ns, PBGA165 |
| 封裝： | 15 MM X 17 MM, 1 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, FPBGA-165 |
| 文件頁數(shù)： | 6/37頁 |
| 文件大小： | 942K |
| 代理商： | GS8662R09GE-167I |
第1頁第2頁第3頁第4頁第5頁當(dāng)前第6頁第7頁第8頁第9頁第10頁第11頁第12頁第13頁第14頁第15頁第16頁第17頁第18頁第19頁第20頁第21頁第22頁第23頁第24頁第25頁第26頁第27頁第28頁第29頁第30頁第31頁第32頁第33頁第34頁第35頁第36頁第37頁
Pin Description Table
Symbol
Description
Type
Comments
SA
Synchronous Address Inputs
Input
—
NC
No Connect
—
—
R
Synchronous Read
Input
Active High
W
Synchronous Write
Input
Active Low
BW0–BW3
Synchronous Byte Writes
Input
Active Low
x18/x36 only
NW0–NW1
Nybble Write Control Pin
Input
Active Low
x8 only
LD
Synchronous Load Pin
Input
Active Low
K
Input Clock
Input
Active High
K
Input Clock
Input
Active Low
C
Output Clock
Input
Active High
C
Output Clock
Input
Active Low
TMS
Test Mode Select
Input
—
TDI
Test Data Input
Input
—
TCK
Test Clock Input
Input
—
TDO
Test Data Output
Output
—
V
REF
HSTL Input Reference Voltage
Input
—
ZQ
Output Impedance Matching Input
Input
—
MCL
Must Connect Low
—
—
DQ
Data I/O
Input/Output
Three State
Doff
Disable DLL when low
Input
Active Low
CQ
Output Echo Clock
Output
—
CQ
Output Echo Clock
Output
—
V
DD
Power Supply
Supply
1.8 V Nominal
V
DDQ
Isolated Output Buffer Supply
Supply
1.5 V Nominal
V
SS
Power Supply: Ground
Supply
—
Preliminary
GS8662R08/09/18/36E-333/300/250/200/167
Specifications cited are subject to change without notice. For latest documentation see http://www.gsitechnology.com.
Rev: 1.01 9/2005
6/37
2005, GSI Technology
Note:
NC = Not Connected to die or any other pin
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| GS8662R09GE-200 | 72Mb SigmaCIO DDR-II Burst of 4 SRAM |
| GS8662R09GE-200I | 72Mb SigmaCIO DDR-II Burst of 4 SRAM |
| GS8662R09GE-250 | 72Mb SigmaCIO DDR-II Burst of 4 SRAM |
| GS8662R09GE-250I | 72Mb SigmaCIO DDR-II Burst of 4 SRAM |
| GS8662R09GE-300 | 72Mb SigmaCIO DDR-II Burst of 4 SRAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| GS8662R09GE-200 | 制造商:GSI 制造商全稱:GSI Technology 功能描述:72Mb SigmaCIO DDR-II Burst of 4 SRAM |
| GS8662R09GE-200I | 制造商:GSI 制造商全稱:GSI Technology 功能描述:72Mb SigmaCIO DDR-II Burst of 4 SRAM |
| GS8662R09GE-250 | 制造商:GSI Technology 功能描述:SRAM SYNC SGL 1.8V 72MBIT 8MX9 0.45NS 165FBGA - Trays |
| GS8662R09GE-250I | 制造商:GSI 制造商全稱:GSI Technology 功能描述:72Mb SigmaCIO DDR-II Burst of 4 SRAM |
| GS8662R09GE-300 | 制造商:GSI Technology 功能描述:SRAM SYNC SGL 1.8V 72MBIT 8MX9 0.45NS 165FBGA - Trays |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。