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參數資料
| 型號： | GS8662R09GE-200 |
| 廠商： | GSI TECHNOLOGY |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 72Mb SigmaCIO DDR-II Burst of 4 SRAM |
| 中文描述： | 8M X 9 DDR SRAM, 0.45 ns, PBGA165 |
| 封裝： | 15 MM X 17 MM, 1 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, FPBGA-165 |
| 文件頁數： | 4/37頁 |
| 文件大小： | 942K |
| 代理商： | GS8662R09GE-200 |
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8M x 9 SigmaCIO DDR-II SRAM—Top View
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TMS
TDI
11 x 15 Bump BGA—13 x 15 mm
2
Body—1 mm Bump Pitch
Notes:
1.
Unlike the x36 and x18 versions of this device, the x8 and x9 versions do not give the user access to A0 and A1. SA0 and SA1 are set to
0 at the beginning of each access.
MCL = Must Connect Low
2.
Preliminary
GS8662R08/09/18/36E-333/300/250/200/167
Specifications cited are subject to change without notice. For latest documentation see http://www.gsitechnology.com.
Rev: 1.01 9/2005
4/37
2005, GSI Technology
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| GS8662R09GE-200I | 72Mb SigmaCIO DDR-II Burst of 4 SRAM |
| GS8662R09GE-250 | 72Mb SigmaCIO DDR-II Burst of 4 SRAM |
| GS8662R09GE-250I | 72Mb SigmaCIO DDR-II Burst of 4 SRAM |
| GS8662R09GE-300 | 72Mb SigmaCIO DDR-II Burst of 4 SRAM |
| GS8662R09GE-300I | 72Mb SigmaCIO DDR-II Burst of 4 SRAM |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| GS8662R09GE-200I | 制造商:GSI 制造商全稱:GSI Technology 功能描述:72Mb SigmaCIO DDR-II Burst of 4 SRAM |
| GS8662R09GE-250 | 制造商:GSI Technology 功能描述:SRAM SYNC SGL 1.8V 72MBIT 8MX9 0.45NS 165FBGA - Trays |
| GS8662R09GE-250I | 制造商:GSI 制造商全稱:GSI Technology 功能描述:72Mb SigmaCIO DDR-II Burst of 4 SRAM |
| GS8662R09GE-300 | 制造商:GSI Technology 功能描述:SRAM SYNC SGL 1.8V 72MBIT 8MX9 0.45NS 165FBGA - Trays |
| GS8662R09GE-300I | 制造商:GSI 制造商全稱:GSI Technology 功能描述:72Mb SigmaCIO DDR-II Burst of 4 SRAM |
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