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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | GS8662R09GE-200I |
| 廠商： | GSI TECHNOLOGY |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 72Mb SigmaCIO DDR-II Burst of 4 SRAM |
| 中文描述： | 8M X 9 DDR SRAM, 0.45 ns, PBGA165 |
| 封裝： | 15 MM X 17 MM, 1 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, FPBGA-165 |
| 文件頁數(shù)： | 32/37頁 |
| 文件大小： | 942K |
| 代理商： | GS8662R09GE-200I |
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Preliminary
GS8662R08/09/18/36E-333/300/250/200/167
Specifications cited are subject to change without notice. For latest documentation see http://www.gsitechnology.com.
Rev: 1.01 9/2005
32/37
2005, GSI Technology
JTAG Port Timing Diagram
tTH
tTS
tTKQ
tTH
tTS
tTH
tTS
tTKL
tTKH
tTKC
TCK
TDI
TMS
TDO
Parallel SRAM input
JTAG Port AC Electrical Characteristics
Parameter
Symbol
Min.
Max
Unit
TCK Cycle Time
t
CHCH
50
—
ns
TCK High Pulse Width
t
CHCL
20
—
ns
TCK Low Pulse Width
t
CLCH
20
—
ns
TMS Input Setup Time
t
MVCH
5
—
ns
TMS Input Hold Time
t
CHMX
5
—
ns
TDI Input Setup Time
t
DVCH
5
—
ns
TDI Input Hold Time
t
CHDX
5
—
ns
SRAM Input Setup Time
t
SVCH
5
—
ns
SRAM Input Hold Time
t
CHSX
5
—
ns
Clock Low to Output Valid
t
CLQV
0
10
ns
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| GS8662R09GE-250 | 72Mb SigmaCIO DDR-II Burst of 4 SRAM |
| GS8662R09GE-250I | 72Mb SigmaCIO DDR-II Burst of 4 SRAM |
| GS8662R09GE-300 | 72Mb SigmaCIO DDR-II Burst of 4 SRAM |
| GS8662R09GE-300I | 72Mb SigmaCIO DDR-II Burst of 4 SRAM |
| GS8662R09GE-333 | 72Mb SigmaCIO DDR-II Burst of 4 SRAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| GS8662R09GE-250 | 制造商:GSI Technology 功能描述:SRAM SYNC SGL 1.8V 72MBIT 8MX9 0.45NS 165FBGA - Trays |
| GS8662R09GE-250I | 制造商:GSI 制造商全稱:GSI Technology 功能描述:72Mb SigmaCIO DDR-II Burst of 4 SRAM |
| GS8662R09GE-300 | 制造商:GSI Technology 功能描述:SRAM SYNC SGL 1.8V 72MBIT 8MX9 0.45NS 165FBGA - Trays |
| GS8662R09GE-300I | 制造商:GSI 制造商全稱:GSI Technology 功能描述:72Mb SigmaCIO DDR-II Burst of 4 SRAM |
| GS8662R09GE-333 | 制造商:GSI 制造商全稱:GSI Technology 功能描述:72Mb SigmaCIO DDR-II Burst of 4 SRAM |
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