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參數資料
型號: GS8662R09GE-333I
廠商: GSI TECHNOLOGY
元件分類: DRAM
英文描述: 72Mb SigmaCIO DDR-II Burst of 4 SRAM
中文描述: 8M X 9 DDR SRAM, 0.45 ns, PBGA165
封裝: 15 MM X 17 MM, 1 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, FPBGA-165
文件頁數: 2/37頁
文件大小: 942K
代理商: GS8662R09GE-333I
2M x 36 SigmaCIO DDR-II SRAM—Top View
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A
CQ
MCL/SA
(144Mb)
SA
R/W
BW2
K
BW1
LD
SA
SA
CQ
B
NC
DQ27
DQ18
SA
BW3
K
BW0
SA
NC
NC
DQ8
C
NC
NC
DQ28
V
SS
SA
SA0
SA1
V
SS
NC
DQ17
DQ7
D
NC
DQ29
DQ19
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
NC
NC
DQ16
E
NC
NC
DQ20
V
DDQ
V
SS
V
SS
V
SS
V
DDQ
NC
DQ15
DQ6
F
NC
DQ30
DQ21
V
DDQ
V
DD
V
SS
V
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V
DDQ
NC
NC
DQ5
G
NC
DQ31
DQ22
V
DDQ
V
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V
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V
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V
DDQ
NC
NC
DQ14
H
Doff
V
REF
V
DDQ
V
DDQ
V
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V
SS
V
DD
V
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V
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V
REF
ZQ
J
NC
NC
DQ32
V
DDQ
V
DD
V
SS
V
DD
V
DDQ
NC
DQ13
DQ4
K
NC
NC
DQ23
V
DDQ
V
DD
V
SS
V
DD
V
DDQ
NC
DQ12
DQ3
L
NC
DQ33
DQ24
V
DDQ
V
SS
V
SS
V
SS
V
DDQ
NC
NC
DQ2
M
NC
NC
DQ34
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
NC
DQ11
DQ1
N
NC
DQ35
DQ25
V
SS
SA
SA
SA
V
SS
NC
NC
DQ10
P
NC
NC
DQ26
SA
SA
C
SA
SA
NC
DQ9
DQ0
R
TDO
TCK
SA
SA
SA
C
SA
SA
SA
TMS
TDI
11 x 15 Bump BGA—13 x 15 mm
2
Body—1 mm Bump Pitch
Notes:
1.
BW0 controls writes to DQ0:DQ8; BW1 controls writes to DQ9:DQ17; BW2 controls writes to DQ18:DQ26; BW3 controls writes to
DQ27:DQ35
MCL = Must Connect Low
2.
Preliminary
GS8662R08/09/18/36E-333/300/250/200/167
Specifications cited are subject to change without notice. For latest documentation see http://www.gsitechnology.com.
Rev: 1.01 9/2005
2/37
2005, GSI Technology
相關PDF資料
PDF描述
GS8662R18E-167 72Mb SigmaCIO DDR-II Burst of 4 SRAM
GS8662R18E-167I 72Mb SigmaCIO DDR-II Burst of 4 SRAM
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GS8662R18E-200I 72Mb SigmaCIO DDR-II Burst of 4 SRAM
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GS8662R18E-200 制造商:GSI 制造商全稱:GSI Technology 功能描述:72Mb SigmaCIO DDR-II Burst of 4 SRAM
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