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參數(shù)資料
型號(hào): GS8662R18GE-200
廠商: GSI TECHNOLOGY
元件分類: DRAM
英文描述: 72Mb SigmaCIO DDR-II Burst of 4 SRAM
中文描述: 4M X 18 DDR SRAM, 0.45 ns, PBGA165
封裝: 15 MM X 17 MM, 1 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, FPBGA-165
文件頁(yè)數(shù): 32/37頁(yè)
文件大小: 942K
代理商: GS8662R18GE-200
Preliminary
GS8662R08/09/18/36E-333/300/250/200/167
Specifications cited are subject to change without notice. For latest documentation see http://www.gsitechnology.com.
Rev: 1.01 9/2005
32/37
2005, GSI Technology
JTAG Port Timing Diagram
tTH
tTS
tTKQ
tTH
tTS
tTH
tTS
tTKL
tTKH
tTKC
TCK
TDI
TMS
TDO
Parallel SRAM input
JTAG Port AC Electrical Characteristics
Parameter
Symbol
Min.
Max
Unit
TCK Cycle Time
t
CHCH
50
ns
TCK High Pulse Width
t
CHCL
20
ns
TCK Low Pulse Width
t
CLCH
20
ns
TMS Input Setup Time
t
MVCH
5
ns
TMS Input Hold Time
t
CHMX
5
ns
TDI Input Setup Time
t
DVCH
5
ns
TDI Input Hold Time
t
CHDX
5
ns
SRAM Input Setup Time
t
SVCH
5
ns
SRAM Input Hold Time
t
CHSX
5
ns
Clock Low to Output Valid
t
CLQV
0
10
ns
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PDF描述
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參數(shù)描述
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