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參數(shù)資料
| 型號： | GS8662S08E-200 |
| 廠商： | GSI TECHNOLOGY |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 72Mb Burst of 2 DDR SigmaSIO-II SRAM |
| 中文描述： | 8M X 8 DDR SRAM, 0.45 ns, PBGA165 |
| 封裝： | 15 X 17 MM, 1 MM PITCH, MO-216CAB-1, FPBGA-165 |
| 文件頁數(shù)： | 33/37頁 |
| 文件大小： | 960K |
| 代理商： | GS8662S08E-200 |
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JTAG Port AC Electrical Characteristics
Parameter
Symbol
Min.
Max
Unit
TCK Cycle Time
t
CHCH
50
—
ns
TCK High Pulse Width
t
CHCL
20
—
ns
TCK Low Pulse Width
t
CLCH
20
—
ns
TMS Input Setup Time
t
MVCH
5
—
ns
TMS Input Hold Time
t
CHMX
5
—
ns
TDI Input Setup Time
t
DVCH
5
—
ns
TDI Input Hold Time
t
CHDX
5
—
ns
SRAM Input Setup Time
t
SVCH
5
—
ns
SRAM Input Hold Time
t
CHSX
5
—
ns
Clock Low to Output Valid
t
CLQV
0
10
ns
Preliminary
GS8662S08/09/18/36E-333/300/250/200/167
Specifications cited are subject to change without notice. For latest documentation see http://www.gsitechnology.com.
Rev: 1.01 9/2005
33/37
2005, GSI Technology
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| GS8662S08E-200I | 72Mb Burst of 2 DDR SigmaSIO-II SRAM |
| GS8662S08E-250 | 72Mb Burst of 2 DDR SigmaSIO-II SRAM |
| GS8662S08E-250I | 72Mb Burst of 2 DDR SigmaSIO-II SRAM |
| GS8662S08E-300 | 72Mb Burst of 2 DDR SigmaSIO-II SRAM |
| GS8662S08E-300I | 72Mb Burst of 2 DDR SigmaSIO-II SRAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| GS8662S08E-200I | 制造商:GSI 制造商全稱:GSI Technology 功能描述:72Mb Burst of 2 DDR SigmaSIO-II SRAM |
| GS8662S08E-250 | 制造商:GSI 制造商全稱:GSI Technology 功能描述:72Mb Burst of 2 DDR SigmaSIO-II SRAM |
| GS8662S08E-250I | 制造商:GSI 制造商全稱:GSI Technology 功能描述:72Mb Burst of 2 DDR SigmaSIO-II SRAM |
| GS8662S08E-300 | 制造商:GSI 制造商全稱:GSI Technology 功能描述:72Mb Burst of 2 DDR SigmaSIO-II SRAM |
| GS8662S08E-300I | 制造商:GSI 制造商全稱:GSI Technology 功能描述:72Mb Burst of 2 DDR SigmaSIO-II SRAM |
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