- 您現在的位置：買賣IC網 > PDF目錄385338 > GS8662S08GE-167 (GSI TECHNOLOGY) 72Mb Burst of 2 DDR SigmaSIO-II SRAM PDF資料下載
參數資料
| 型號： | GS8662S08GE-167 |
| 廠商： | GSI TECHNOLOGY |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 72Mb Burst of 2 DDR SigmaSIO-II SRAM |
| 中文描述： | 8M X 8 DDR SRAM, 0.5 ns, PBGA165 |
| 封裝： | 15 X 17 MM, 1 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, MO-216CAB-1, FPBGA-165 |
| 文件頁數： | 19/37頁 |
| 文件大小： | 960K |
| 代理商： | GS8662S08GE-167 |
第1頁第2頁第3頁第4頁第5頁第6頁第7頁第8頁第9頁第10頁第11頁第12頁第13頁第14頁第15頁第16頁第17頁第18頁當前第19頁第20頁第21頁第22頁第23頁第24頁第25頁第26頁第27頁第28頁第29頁第30頁第31頁第32頁第33頁第34頁第35頁第36頁第37頁
Preliminary
GS8662S08/09/18/36E-333/300/250/200/167
Specifications cited are subject to change without notice. For latest documentation see http://www.gsitechnology.com.
Rev: 1.01 9/2005
19/37
2005, GSI Technology
Programmable Impedance HSTL Output Driver DC Electrical Characteristics
Parameter
Symbol
Min.
Max.
Units
Notes
Output High Voltage
V
OH1
V
DDQ
/2 – 0.12
V
DDQ
/2 + 0.12
V
1, 3
Output Low Voltage
V
OL1
V
DDQ
/2 – 0.12
V
DDQ
/2 + 0.12
V
2, 3
Output High Voltage
V
OH2
V
DDQ
– 0.2
V
DDQ
V
4, 5
Output Low Voltage
V
OL2
Vss
0.2
V
4, 6
Notes:
1.
2.
3.
4.
5.
6.
I
OH
= (V
DDQ
/2) / (RQ/5) +/– 15% @ V
OH
= V
DDQ
/2 (for: 175
≤
RQ
≤
350
).
I
OL
= (V
DDQ
/2) / (RQ/5) +/– 15% @ V
OL
= V
DDQ
/2 (for: 175
≤
RQ
≤
350
)
.
Parameter tested with RQ = 250
and V
DDQ
= 1.5 V or 1.8 V
Minimum Impedance mode, ZQ = V
SS
I
OH
= –1.0 mA
I
OL
= 1.0 mA
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| GS8662S08GE-167I | 72Mb Burst of 2 DDR SigmaSIO-II SRAM |
| GS8662S08GE-200 | 72Mb Burst of 2 DDR SigmaSIO-II SRAM |
| GS8662S08GE-200I | 72Mb Burst of 2 DDR SigmaSIO-II SRAM |
| GS8662S08GE-250 | 72Mb Burst of 2 DDR SigmaSIO-II SRAM |
| GS8662S08GE-250I | 72Mb Burst of 2 DDR SigmaSIO-II SRAM |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| GS8662S08GE-167I | 制造商:GSI 制造商全稱:GSI Technology 功能描述:72Mb Burst of 2 DDR SigmaSIO-II SRAM |
| GS8662S08GE-200 | 制造商:GSI 制造商全稱:GSI Technology 功能描述:72Mb Burst of 2 DDR SigmaSIO-II SRAM |
| GS8662S08GE-200I | 制造商:GSI 制造商全稱:GSI Technology 功能描述:72Mb Burst of 2 DDR SigmaSIO-II SRAM |
| GS8662S08GE-250 | 制造商:GSI 制造商全稱:GSI Technology 功能描述:72Mb Burst of 2 DDR SigmaSIO-II SRAM |
| GS8662S08GE-250I | 制造商:GSI 制造商全稱:GSI Technology 功能描述:72Mb Burst of 2 DDR SigmaSIO-II SRAM |
發布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。