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參數資料
型號: GS8662S08GE-300
廠商: GSI TECHNOLOGY
元件分類: DRAM
英文描述: 72Mb Burst of 2 DDR SigmaSIO-II SRAM
中文描述: 8M X 8 DDR SRAM, 0.45 ns, PBGA165
封裝: 15 X 17 MM, 1 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, MO-216CAB-1, FPBGA-165
文件頁數: 2/37頁
文件大小: 960K
代理商: GS8662S08GE-300
8M x 8 SigmaQuad SRAM—Top View
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TMS
TDI
11 x 15 Bump BGA—15 x 17 mm
2
Body—1 mm Bump Pitch
Notes:
1.
2.
NW0 controls writes to D0:D3. NW1 controls writes to D4:D7.
It is recommended that H1 be tied low for compatibility with future devices.
Preliminary
GS8662S08/09/18/36E-333/300/250/200/167
Specifications cited are subject to change without notice. For latest documentation see http://www.gsitechnology.com.
Rev: 1.01 9/2005
2/37
2005, GSI Technology
相關PDF資料
PDF描述
GS8662S08GE-300I 72Mb Burst of 2 DDR SigmaSIO-II SRAM
GS8662S08GE-333 72Mb Burst of 2 DDR SigmaSIO-II SRAM
GS8662S08GE-333I 72Mb Burst of 2 DDR SigmaSIO-II SRAM
GS8662S09E-167 72Mb Burst of 2 DDR SigmaSIO-II SRAM
GS8662S09E-167I 72Mb Burst of 2 DDR SigmaSIO-II SRAM
相關代理商/技術參數
參數描述
GS8662S08GE-300I 制造商:GSI 制造商全稱:GSI Technology 功能描述:72Mb Burst of 2 DDR SigmaSIO-II SRAM
GS8662S08GE-333 制造商:GSI 制造商全稱:GSI Technology 功能描述:72Mb Burst of 2 DDR SigmaSIO-II SRAM
GS8662S08GE-333I 制造商:GSI 制造商全稱:GSI Technology 功能描述:72Mb Burst of 2 DDR SigmaSIO-II SRAM
GS8662S09BD-400 制造商:GSI Technology 功能描述:165 FBGA - Bulk
GS8662S09E-167 制造商:GSI 制造商全稱:GSI Technology 功能描述:72Mb Burst of 2 DDR SigmaSIO-II SRAM
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