- 您現在的位置：買賣IC網 > PDF目錄385339 > GS88132BT-300I (GSI TECHNOLOGY) 512K x 18, 256K x 32, 256K x 36 9Mb Sync Burst SRAMs PDF資料下載
參數資料
| 型號： | GS88132BT-300I |
| 廠商： | GSI TECHNOLOGY |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 512K x 18, 256K x 32, 256K x 36 9Mb Sync Burst SRAMs |
| 中文描述： | 256K X 32 CACHE SRAM, 5 ns, PQFP100 |
| 封裝： | TQFP-100 |
| 文件頁數： | 31/39頁 |
| 文件大小： | 791K |
| 代理商： | GS88132BT-300I |
第1頁第2頁第3頁第4頁第5頁第6頁第7頁第8頁第9頁第10頁第11頁第12頁第13頁第14頁第15頁第16頁第17頁第18頁第19頁第20頁第21頁第22頁第23頁第24頁第25頁第26頁第27頁第28頁第29頁第30頁當前第31頁第32頁第33頁第34頁第35頁第36頁第37頁第38頁第39頁
JTAG Port Recommended Operating Conditions and DC Characteristics
Parameter
Symbol
V
IHJ3
V
ILJ3
V
IHJ2
V
ILJ2
I
INHJ
I
INLJ
I
OLJ
V
OHJ
V
OLJ
V
OHJC
V
OLJC
Min.
Max.
V
DD3
+0.3
Unit Notes
3.3 V Test Port Input High Voltage
2.0
V
1
3.3 V Test Port Input Low Voltage
–
0.3
0.8
V
1
2.5 V Test Port Input High Voltage
0.6 * V
DD2
V
DD2
+0.3
0.3 * V
DD2
V
1
2.5 V Test Port Input Low Voltage
–
0.3
V
1
TMS, TCK and TDI Input Leakage Current
–
300
1
uA
2
TMS, TCK and TDI Input Leakage Current
–
1
100
uA
3
TDO Output Leakage Current
–
1
1
uA
4
Test Port Output High Voltage
1.7
—
V
5, 6
Test Port Output Low Voltage
—
0.4
V
5, 7
Test Port Output CMOS High
V
DDQ
– 100 mV
—
V
5, 8
Test Port Output CMOS Low
—
100 mV
V
5, 9
Notes:
1.
2.
3.
4.
5.
6.
7.
8.
9.
Input Under/overshoot voltage must be
–
2 V < Vi < V
DDn
+2 V not to exceed 4.6 V maximum, with a pulse width not to exceed 20% tTKC.
V
ILJ
≤
V
IN
≤
V
DDn
0 V
≤
V
IN
≤
V
ILJn
Output Disable, V
OUT
= 0 to V
DDn
The TDO output driver is served by the V
DDQ
supply.
I
OHJ
=
–
4 mA
I
OLJ
= + 4 mA
I
OHJC
= –100 uA
I
OLJC
= +100 uA
JTAG Port Timing Diagram
GS88118B(T/D)/GS88132B(T/D)/GS88136B(T/D)
Rev: 1.05 11/2005
Specifications cited are subject to change without notice. For latest documentation see http://www.gsitechnology.com.
31/39
2002, GSI Technology
tTH
tTS
tTKQ
tTH
tTS
tTH
tTS
tTKL
tTKH
tTKC
TCK
TDI
TMS
TDO
Parallel SRAM input
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| GS88136BD-150 | 512K x 18, 256K x 32, 256K x 36 9Mb Sync Burst SRAMs |
| GS88136BD-150I | 512K x 18, 256K x 32, 256K x 36 9Mb Sync Burst SRAMs |
| GS88136BD-200 | 512K x 18, 256K x 32, 256K x 36 9Mb Sync Burst SRAMs |
| GS88136BD-200I | 512K x 18, 256K x 32, 256K x 36 9Mb Sync Burst SRAMs |
| GS88136BD-250 | 512K x 18, 256K x 32, 256K x 36 9Mb Sync Burst SRAMs |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| GS88132CD-150 | 制造商:GSI Technology 功能描述:SRAM SYNC SGL 2.5V/3.3V 8MBIT 256KX32 7.5NS/3.8NS 165FPBGA - Trays |
| GS88132CD-250 | 制造商:GSI Technology 功能描述:SRAM SYNC SGL 2.5V/3.3V 8MBIT 256KX32 5.5NS/2.5NS 165FPBGA - Trays |
| GS88132CD-300I | 制造商:GSI Technology 功能描述:SRAM SYNC SGL 2.5V/3.3V 8MBIT 256KX32 5NS/2.5NS 165FPBGA - Trays |
| GS88132CD-333 | 制造商:GSI Technology 功能描述:SRAM SYNC SGL 2.5V/3.3V 8MBIT 256KX32 4.5NS/2.5NS 165FPBGA - Trays |
| GS88132CGT-200I | 制造商:GSI Technology 功能描述:SRAM SYNC SGL 2.5V/3.3V 8MBIT 256KX32 6.5NS/3NS 100TQFP - Trays |
發布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。