- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄385338 > GS88136AD-225I (GSI TECHNOLOGY) 512K x 18, 256K x 36 9Mb Synchronous Burst SRAMs PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | GS88136AD-225I |
| 廠商： | GSI TECHNOLOGY |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 512K x 18, 256K x 36 9Mb Synchronous Burst SRAMs |
| 中文描述： | 256K X 36 CACHE SRAM, 6 ns, PBGA165 |
| 封裝： | 13 X 15 MM, 1 MM PITCH, FPBGA-165 |
| 文件頁數(shù)： | 4/36頁 |
| 文件大小： | 606K |
| 代理商： | GS88136AD-225I |
第1頁第2頁第3頁當(dāng)前第4頁第5頁第6頁第7頁第8頁第9頁第10頁第11頁第12頁第13頁第14頁第15頁第16頁第17頁第18頁第19頁第20頁第21頁第22頁第23頁第24頁第25頁第26頁第27頁第28頁第29頁第30頁第31頁第32頁第33頁第34頁第35頁第36頁
GS88118A(T/D)/GS88132A(D)/GS88136A(T/D)
Specifications cited are subject to change without notice. For latest documentation see http://www.gsitechnology.com.
Rev: 1.04 3/2005
4/36
2001, GSI Technology
TQFP Pin Description
Symbol
Type
Description
A
0
, A
1
I
Address field LSBs and Address Counter preset Inputs
A
n
I
Address Inputs
DQ
A
DQ
B
DQ
C
DQ
D
I/O
Data Input and Output pins
NC
—
No Connect
BW
I
Byte Write
—
Writes all enabled bytes; active low
B
A
, B
B,
B
C
, B
D
I
Byte Write Enable for DQ
A
, DQ
B
Data I/Os; active low
CK
I
Clock Input Signal; active high
GW
I
Global Write Enable
—
Writes all bytes; active low
E
1
I
Chip Enable; active low
E
2
I
Chip Enable; active high
G
I
Output Enable; active low
ADV
I
Burst address counter advance enable; active low
ADSP, ADSC
I
Address Strobe (Processor, Cache Controller); active low
ZZ
I
Sleep Mode control; active high
TMS
I
Scan Test Mode Select
TDI
I
Scan Test Data In
TDO
O
Scan Test Data Out
TCK
I
Scan Test Clock
FT
I
Flow Through or Pipeline mode; active low
LBO
I
Linear Burst Order mode; active low
V
DD
I
Core power supply
V
SS
I
I/O and Core Ground
V
DDQ
I
Output driver power supply
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| GS88136AD-250 | 512K x 18, 256K x 36 9Mb Synchronous Burst SRAMs |
| GS88136AD-250I | 512K x 18, 256K x 36 9Mb Synchronous Burst SRAMs |
| GS88136AT-133 | 512K x 18, 256K x 36 9Mb Synchronous Burst SRAMs |
| GS88136AT-133I | 512K x 18, 256K x 36 9Mb Synchronous Burst SRAMs |
| GS88136BGD-250 | 512K x 18, 256K x 32, 256K x 36 9Mb Sync Burst SRAMs |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| GS88136AD-250 | 制造商:GSI 制造商全稱:GSI Technology 功能描述:512K x 18, 256K x 36 9Mb Synchronous Burst SRAMs |
| GS88136AD-250I | 制造商:GSI 制造商全稱:GSI Technology 功能描述:512K x 18, 256K x 36 9Mb Synchronous Burst SRAMs |
| GS88136AT-133 | 制造商:GSI 制造商全稱:GSI Technology 功能描述:512K x 18, 256K x 36 9Mb Synchronous Burst SRAMs |
| GS88136AT-133I | 制造商:GSI 制造商全稱:GSI Technology 功能描述:512K x 18, 256K x 36 9Mb Synchronous Burst SRAMs |
| GS88136AT-150 | 制造商:GSI 制造商全稱:GSI Technology 功能描述:512K x 18, 256K x 36 9Mb Synchronous Burst SRAMs |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。