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參數(shù)資料
型號： GS88136BD-200
廠商： GSI TECHNOLOGY
元件分類： DRAM
英文描述： 512K x 18, 256K x 32, 256K x 36 9Mb Sync Burst SRAMs
中文描述： 256K X 36 CACHE SRAM, 6.5 ns, PBGA165
封裝： 13 X 15 MM, 1 MM PITCH, FBGA-165
文件頁數(shù)： 31/39頁
文件大小： 791K
代理商： GS88136BD-200
JTAG Port Recommended Operating Conditions and DC Characteristics
Parameter
Symbol
V
IHJ3
V
ILJ3
V
IHJ2
V
ILJ2
I
INHJ
I
INLJ
I
OLJ
V
OHJ
V
OLJ
V
OHJC
V
OLJC
Min.
Max.
V
DD3
+0.3
Unit Notes
3.3 V Test Port Input High Voltage
2.0
V
1
3.3 V Test Port Input Low Voltage
–
0.3
0.8
V
1
2.5 V Test Port Input High Voltage
0.6 * V
DD2
V
DD2
+0.3
0.3 * V
DD2
V
1
2.5 V Test Port Input Low Voltage
–
0.3
V
1
TMS, TCK and TDI Input Leakage Current
–
300
1
uA
2
TMS, TCK and TDI Input Leakage Current
–
1
100
uA
3
TDO Output Leakage Current
–
1
1
uA
4
Test Port Output High Voltage
1.7
—
V
5, 6
Test Port Output Low Voltage
—
0.4
V
5, 7
Test Port Output CMOS High
V
DDQ
– 100 mV
—
V
5, 8
Test Port Output CMOS Low
—
100 mV
V
5, 9
Notes:
1.
2.
3.
4.
5.
6.
7.
8.
9.
Input Under/overshoot voltage must be
–
2 V < Vi < V
DDn
+2 V not to exceed 4.6 V maximum, with a pulse width not to exceed 20% tTKC.
V
ILJ
≤
V
IN
≤
V
DDn
0 V
≤
V
IN
≤
V
ILJn
Output Disable, V
OUT
= 0 to V
DDn
The TDO output driver is served by the V
DDQ
supply.
I
OHJ
=
–
4 mA
I
OLJ
= + 4 mA
I
OHJC
= –100 uA
I
OLJC
= +100 uA
JTAG Port Timing Diagram
GS88118B(T/D)/GS88132B(T/D)/GS88136B(T/D)
Rev: 1.05 11/2005
Specifications cited are subject to change without notice. For latest documentation see http://www.gsitechnology.com.
31/39
2002, GSI Technology
tTH
tTS
tTKQ
tTH
tTS
tTH
tTS
tTKL
tTKH
tTKC
TCK
TDI
TMS
TDO
Parallel SRAM input
相關(guān)PDF資料
PDF描述
GS88136BD-200I 512K x 18, 256K x 32, 256K x 36 9Mb Sync Burst SRAMs
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GS88136BD-250I 512K x 18, 256K x 32, 256K x 36 9Mb Sync Burst SRAMs
GS88136BD-300 512K x 18, 256K x 32, 256K x 36 9Mb Sync Burst SRAMs
GS88136BD-300I 512K x 18, 256K x 32, 256K x 36 9Mb Sync Burst SRAMs
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GS88136BD-250I 制造商:GSI Technology 功能描述:SRAM SYNC QUAD 2.5V/3.3V 9MBIT 256KX36 5.5NS/2.5NS 165FBGA - Trays
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