- 您現在的位置：買賣IC網 > PDF目錄385339 > GS88136BGD-333I (GSI TECHNOLOGY) 512K x 18, 256K x 32, 256K x 36 9Mb Sync Burst SRAMs PDF資料下載
參數資料
| 型號： | GS88136BGD-333I |
| 廠商： | GSI TECHNOLOGY |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 512K x 18, 256K x 32, 256K x 36 9Mb Sync Burst SRAMs |
| 中文描述： | 256K X 36 CACHE SRAM, 4.5 ns, PBGA165 |
| 封裝： | 13 X 15 MM, 1 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, FBGA-165 |
| 文件頁數： | 30/39頁 |
| 文件大?。?/td> | 791K |
| 代理商： | GS88136BGD-333I |
第1頁第2頁第3頁第4頁第5頁第6頁第7頁第8頁第9頁第10頁第11頁第12頁第13頁第14頁第15頁第16頁第17頁第18頁第19頁第20頁第21頁第22頁第23頁第24頁第25頁第26頁第27頁第28頁第29頁當前第30頁第31頁第32頁第33頁第34頁第35頁第36頁第37頁第38頁第39頁
JTAG TAP Instruction Set Summary
Instruction
Code
Description
Notes
EXTEST
000
Places the Boundary Scan Register between TDI and TDO.
1
IDCODE
001
Preloads ID Register and places it between TDI and TDO.
1, 2
SAMPLE-Z
010
Captures I/O ring contents. Places the Boundary Scan Register between TDI and
TDO.
Forces all RAM output drivers to High-Z.
Do not use this instruction; Reserved for Future Use.
Replicates BYPASS instruction. Places Bypass Register between TDI and TDO.
1
RFU
011
1
SAMPLE/
PRELOAD
100
Captures I/O ring contents. Places the Boundary Scan Register between TDI and
TDO.
1
GSI
101
GSI private instruction.
Do not use this instruction; Reserved for Future Use.
Replicates BYPASS instruction. Places Bypass Register between TDI and TDO.
1
RFU
110
1
BYPASS
111
Places Bypass Register between TDI and TDO.
1
Notes:
1.
2.
Instruction codes expressed in binary, MSB on left, LSB on right.
Default instruction automatically loaded at power-up and in test-logic-reset state.
GS88118B(T/D)/GS88132B(T/D)/GS88136B(T/D)
Rev: 1.05 11/2005
Specifications cited are subject to change without notice. For latest documentation see http://www.gsitechnology.com.
30/39
2002, GSI Technology
JTAG Port AC Test Conditions
Notes:
1.
2.
Include scope and jig capacitance.
Test conditions as shown unless otherwise noted.
Parameter
Conditions
V
DD
– 0.2 V
0.2 V
1 V/ns
V
DDQ
/2
V
DDQ
/2
Input high level
Input low level
Input slew rate
Input reference level
Output reference level
DQ
V
DDQ
/2
50
30pF
*
JTAG Port AC Test Load
* Distributed Test Jig Capacitance
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| GS88136BGT-150 | 512K x 18, 256K x 32, 256K x 36 9Mb Sync Burst SRAMs |
| GS88136BGT-150I | 512K x 18, 256K x 32, 256K x 36 9Mb Sync Burst SRAMs |
| GS88136BGT-200 | 512K x 18, 256K x 32, 256K x 36 9Mb Sync Burst SRAMs |
| GS88136BGT-200I | 512K x 18, 256K x 32, 256K x 36 9Mb Sync Burst SRAMs |
| GS88136BGT-250 | 512K x 18, 256K x 32, 256K x 36 9Mb Sync Burst SRAMs |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| GS88136BGT-150 | 制造商:GSI 制造商全稱:GSI Technology 功能描述:512K x 18, 256K x 32, 256K x 36 9Mb Sync Burst SRAMs |
| GS88136BGT-150I | 制造商:GSI 制造商全稱:GSI Technology 功能描述:512K x 18, 256K x 32, 256K x 36 9Mb Sync Burst SRAMs |
| GS88136BGT-150IV | 制造商:GSI 制造商全稱:GSI Technology 功能描述:512K x 18, 256K x 32, 256K x 36 9Mb Sync Burst SRAMs |
| GS88136BGT-150V | 制造商:GSI 制造商全稱:GSI Technology 功能描述:512K x 18, 256K x 32, 256K x 36 9Mb Sync Burst SRAMs |
| GS88136BGT-200 | 制造商:GSI 制造商全稱:GSI Technology 功能描述:512K x 18, 256K x 32, 256K x 36 9Mb Sync Burst SRAMs |
發布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。