欧美成人免费电影,国产欧美一区二区三区精品酒店,精品国产a毛片,色网在线免费观看

參數資料
型號： GS88136BGT-250I
廠商： GSI TECHNOLOGY
元件分類： DRAM
英文描述： 512K x 18, 256K x 32, 256K x 36 9Mb Sync Burst SRAMs
中文描述： 256K X 36 CACHE SRAM, 5.5 ns, PQFP100
封裝： ROHS COMPLIANT, TQFP-100
文件頁數： 17/39頁
文件大小： 791K
代理商： GS88136BGT-250I
GS88118B(T/D)/GS88132B(T/D)/GS88136B(T/D)
Rev: 1.05 11/2005
Specifications cited are subject to change without notice. For latest documentation see http://www.gsitechnology.com.
17/39
2002, GSI Technology
V
DDQ3
Range Logic Levels
Parameter
Symbol
Min.
Typ.
Max.
Unit
Notes
V
DD
Input High Voltage
V
IH
2.0
—
V
DD
+ 0.3
V
1
V
DD
Input Low Voltage
V
IL
–
0.3
—
0.8
V
1
V
DDQ
I/O Input High Voltage
V
IHQ
2.0
—
V
DDQ
+ 0.3
V
1,3
V
DDQ
I/O Input Low Voltage
V
ILQ
–
0.3
—
0.8
V
1,3
Notes:
1.
The part numbers of Industrial Temperature Range versions end the character “I”. Unless otherwise noted, all performance specifica-
tions quoted are evaluated for worst case in the temperature range marked on the device.
Input Under/overshoot voltage must be
–
2 V > Vi < V
DDn
+2 V not to exceed 4.6 V maximum, with a pulse width not to exceed 20% tKC.
V
IHQ
(max) is voltage on V
DDQ
pins plus 0.3 V.
2.
3.
V
DDQ2
Range Logic Levels
Parameter
Symbol
Min.
Typ.
Max.
Unit
Notes
V
DD
Input High Voltage
V
IH
0.6*V
DD
—
V
DD
+ 0.3
V
1
V
DD
Input Low Voltage
V
IL
–
0.3
—
0.3*V
DD
V
1
V
DDQ
I/O Input High Voltage
V
IHQ
0.6*V
DD
—
V
DDQ
+ 0.3
V
1,3
V
DDQ
I/O Input Low Voltage
V
ILQ
–
0.3
—
0.3*V
DD
V
1,3
Notes:
1.
The part numbers of Industrial Temperature Range versions end the character “I”. Unless otherwise noted, all performance specifica-
tions quoted are evaluated for worst case in the temperature range marked on the device.
Input Under/overshoot voltage must be
–
2 V > Vi < V
DDn
+2 V not to exceed 4.6 V maximum, with a pulse width not to exceed 20% tKC.
V
IHQ
(max) is voltage on V
DDQ
pins plus 0.3 V.
2.
3.
Recommended Operating Temperatures
Parameter
Symbol
Min.
Typ.
Max.
Unit
Notes
Ambient Temperature (Commercial Range Versions)
T
A
0
25
70
°
C
2
Ambient Temperature (Industrial Range Versions)
T
A
–
40
25
85
°
C
2
Notes:
1.
The part numbers of Industrial Temperature Range versions end the character “I”. Unless otherwise noted, all performance specifica-
tions quoted are evaluated for worst case in the temperature range marked on the device.
Input Under/overshoot voltage must be
–
2 V > Vi < V
DDn
+2 V not to exceed 4.6 V maximum, with a pulse width not to exceed 20% tKC.
2.
相關PDF資料
PDF描述
GS88136BGT-300 512K x 18, 256K x 32, 256K x 36 9Mb Sync Burst SRAMs
GS88136BGT-300I 512K x 18, 256K x 32, 256K x 36 9Mb Sync Burst SRAMs
GS88136BGT-333 512K x 18, 256K x 32, 256K x 36 9Mb Sync Burst SRAMs
GS88136BGT-333I 512K x 18, 256K x 32, 256K x 36 9Mb Sync Burst SRAMs
GS88136BT-150 512K x 18, 256K x 32, 256K x 36 9Mb Sync Burst SRAMs
相關代理商/技術參數
參數描述
GS88136BGT-250IV 制造商:GSI 制造商全稱:GSI Technology 功能描述:512K x 18, 256K x 32, 256K x 36 9Mb Sync Burst SRAMs
GS88136BGT-250V 制造商:GSI 制造商全稱:GSI Technology 功能描述:512K x 18, 256K x 32, 256K x 36 9Mb Sync Burst SRAMs
GS88136BGT-300 制造商:GSI 制造商全稱:GSI Technology 功能描述:512K x 18, 256K x 32, 256K x 36 9Mb Sync Burst SRAMs
GS88136BGT-300I 制造商:GSI 制造商全稱:GSI Technology 功能描述:512K x 18, 256K x 32, 256K x 36 9Mb Sync Burst SRAMs
GS88136BGT-333 制造商:GSI 制造商全稱:GSI Technology 功能描述:512K x 18, 256K x 32, 256K x 36 9Mb Sync Burst SRAMs
發布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

發布成功！您可以繼續發布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

發布成功！您可以繼續發布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

*型號 *數量 廠商 批號 封裝
添加更多采購

我的聯系方式

*
*
*
主站蜘蛛池模板： 荃湾区| 阳高县| 孝感市| 彭泽县| 普兰店市| 宁强县| 漾濞| 隆安县| 青神县| 永仁县| 渑池县| 门源| 江津市| 化州市| 云和县| 古浪县| 延津县| 横山县| 花垣县| 曲水县| 宁城县| 平南县| 侯马市| 含山县| 渝北区| 奇台县| 观塘区| 根河市| 通化市| 敦化市| 邵武市| 明光市| 深圳市| 开封市| 介休市| 理塘县| 鲁山县| 连南| 赤水市| 邓州市| 隆林|