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參數(shù)資料
型號(hào)： GS88136BT-150V
廠(chǎng)商： GSI TECHNOLOGY
元件分類(lèi)： DRAM
英文描述： 512K x 18, 256K x 32, 256K x 36 9Mb Sync Burst SRAMs
中文描述： 256K X 36 CACHE SRAM, 7.5 ns, PQFP100
封裝： TQFP-100
文件頁(yè)數(shù)： 28/36頁(yè)
文件大小： 776K
代理商： GS88136BT-150V
JTAG TAP Instruction Set Summary
Instruction
Code
Description
Notes
EXTEST
000
Places the Boundary Scan Register between TDI and TDO.
1
IDCODE
001
Preloads ID Register and places it between TDI and TDO.
1, 2
SAMPLE-Z
010
Captures I/O ring contents. Places the Boundary Scan Register between TDI and
TDO.
Forces all RAM output drivers to High-Z.
Do not use this instruction; Reserved for Future Use.
Replicates BYPASS instruction. Places Bypass Register between TDI and TDO.
1
RFU
011
1
SAMPLE/
PRELOAD
100
Captures I/O ring contents. Places the Boundary Scan Register between TDI and
TDO.
1
GSI
101
GSI private instruction.
Do not use this instruction; Reserved for Future Use.
Replicates BYPASS instruction. Places Bypass Register between TDI and TDO.
1
RFU
110
1
BYPASS
111
Places Bypass Register between TDI and TDO.
1
Notes:
1.
2.
Instruction codes expressed in binary, MSB on left, LSB on right.
Default instruction automatically loaded at power-up and in test-logic-reset state.
GS88118/32/36B(T/D)-xxxV
Rev: 1.00 6/2006
Specifications cited are subject to change without notice. For latest documentation see http://www.gsitechnology.com.
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2006, GSI Technology
相關(guān)PDF資料
PDF描述
GS88132BT-150IV 512K x 18, 256K x 32, 256K x 36 9Mb Sync Burst SRAMs
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GS88132BT-200IV 512K x 18, 256K x 32, 256K x 36 9Mb Sync Burst SRAMs
GS88132BT-200V 512K x 18, 256K x 32, 256K x 36 9Mb Sync Burst SRAMs
GS88136BD-150IV 512K x 18, 256K x 32, 256K x 36 9Mb Sync Burst SRAMs
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