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參數資料
| 型號： | GS88136BT-250V |
| 廠商： | GSI TECHNOLOGY |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 512K x 18, 256K x 32, 256K x 36 9Mb Sync Burst SRAMs |
| 中文描述： | 256K X 36 CACHE SRAM, 5.5 ns, PQFP100 |
| 封裝： | TQFP-100 |
| 文件頁數： | 15/36頁 |
| 文件大小： | 776K |
| 代理商： | GS88136BT-250V |
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First Write
First Read
Burst Write
Burst Read
Deselect
R
W
CR
CW
X
X
W
R
R
W
R
X
X
X
CR
R
CW
CR
CR
W
CW
W
CW
Notes:
1.
2.
The diagram shows supported (tested) synchronous state transitions plus supported transitions that depend upon the use of G.
Use of “Dummy Reads” (Read Cycles with G High) may be used to make the transition from read cycles to write cycles without passing
through a deselect cycle. Dummy read cycles increment the address counter just like normal read cycles.
Transitions shown in gray tone assume G has been pulsed high long enough to turn the RAM’s drivers off and for incoming data to meet
Data Input Set Up Time.
3.
GS88118/32/36B(T/D)-xxxV
Rev: 1.00 6/2006
Specifications cited are subject to change without notice. For latest documentation see http://www.gsitechnology.com.
15/36
2006, GSI Technology
Simplified State Diagram with G
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| GS881E36AD-133I | 512K x 18, 256K x 36 9Mb Synchronous Burst SRAMs |
| GS881E18AD-166T | 512K x 18, 256K x 36 9Mb Synchronous Burst SRAMs |
| GS881E18AD-200 | 512K x 18, 256K x 36 9Mb Synchronous Burst SRAMs |
| GS881E18AD-200I | 512K x 18, 256K x 36 9Mb Synchronous Burst SRAMs |
| GS881E18AD-200IT | 512K x 18, 256K x 36 9Mb Synchronous Burst SRAMs |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
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| GS88136BT-300I | 制造商:GSI 制造商全稱:GSI Technology 功能描述:512K x 18, 256K x 32, 256K x 36 9Mb Sync Burst SRAMs |
| GS88136BT-333 | 制造商:GSI 制造商全稱:GSI Technology 功能描述:512K x 18, 256K x 32, 256K x 36 9Mb Sync Burst SRAMs |
| GS88136BT-333I | 制造商:GSI 制造商全稱:GSI Technology 功能描述:512K x 18, 256K x 32, 256K x 36 9Mb Sync Burst SRAMs |
| GS88136CD-200 | 制造商:GSI Technology 功能描述:SRAM SYNC SGL 2.5V/3.3V 9MBIT 256KX36 6.5NS/3NS 165FPBGA - Trays |
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