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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | GS881E18AD-200I |
| 廠商： | GSI TECHNOLOGY |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 512K x 18, 256K x 36 9Mb Synchronous Burst SRAMs |
| 中文描述： | 512K X 18 CACHE SRAM, 6.5 ns, PBGA165 |
| 封裝： | 13 X 15 MM, 1 MM PITCH, FBGA-165 |
| 文件頁數(shù)： | 10/37頁 |
| 文件大?。?/td> | 662K |
| 代理商： | GS881E18AD-200I |
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GS881E18/36AT-250/225/200/166/150/133
Specifications cited are subject to change without notice. For latest documentation see http://www.gsitechnology.com.
Rev: 1.03 11/2004
2/29
2001, GSI Technology
GS881E18A 100-Pin TQFP Pinout (Package T)
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相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| GS881E18AD-200IT | 512K x 18, 256K x 36 9Mb Synchronous Burst SRAMs |
| GS881E18AD-200T | 512K x 18, 256K x 36 9Mb Synchronous Burst SRAMs |
| GS881E18AD-225 | 512K x 18, 256K x 36 9Mb Synchronous Burst SRAMs |
| GS881E18AD-225I | 512K x 18, 256K x 36 9Mb Synchronous Burst SRAMs |
| GS881E18AD-225IT | 512K x 18, 256K x 36 9Mb Synchronous Burst SRAMs |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| GS881E18AD-200IT | 制造商:GSI 制造商全稱:GSI Technology 功能描述:512K x 18, 256K x 36 9Mb Synchronous Burst SRAMs |
| GS881E18AD-200T | 制造商:GSI 制造商全稱:GSI Technology 功能描述:512K x 18, 256K x 36 9Mb Synchronous Burst SRAMs |
| GS881E18AD-225 | 制造商:GSI 制造商全稱:GSI Technology 功能描述:512K x 18, 256K x 36 9Mb Synchronous Burst SRAMs |
| GS881E18AD-225I | 制造商:GSI 制造商全稱:GSI Technology 功能描述:512K x 18, 256K x 36 9Mb Synchronous Burst SRAMs |
| GS881E18AD-225IT | 制造商:GSI 制造商全稱:GSI Technology 功能描述:512K x 18, 256K x 36 9Mb Synchronous Burst SRAMs |
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