- 您現在的位置：買賣IC網 > PDF目錄385340 > GS881E18AD-200T (GSI TECHNOLOGY) 512K x 18, 256K x 36 9Mb Synchronous Burst SRAMs PDF資料下載
參數資料
| 型號： | GS881E18AD-200T |
| 廠商： | GSI TECHNOLOGY |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 512K x 18, 256K x 36 9Mb Synchronous Burst SRAMs |
| 中文描述： | 512K X 18 CACHE SRAM, 6.5 ns, PBGA165 |
| 封裝： | 13 X 15 MM, 1 MM PITCH, FBGA-165 |
| 文件頁數： | 17/37頁 |
| 文件大小： | 662K |
| 代理商： | GS881E18AD-200T |
第1頁第2頁第3頁第4頁第5頁第6頁第7頁第8頁第9頁第10頁第11頁第12頁第13頁第14頁第15頁第16頁當前第17頁第18頁第19頁第20頁第21頁第22頁第23頁第24頁第25頁第26頁第27頁第28頁第29頁第30頁第31頁第32頁第33頁第34頁第35頁第36頁第37頁
GS881E18/36AT-250/225/200/166/150/133
Specifications cited are subject to change without notice. For latest documentation see http://www.gsitechnology.com.
Rev: 1.03 11/2004
9/29
2001, GSI Technology
Simplified State Diagram
First Write
First Read
Burst Write
Burst Read
Deselect
R
W
CR
CW
X
X
W
R
R
W
R
X
X
X
S
S
CR
R
CW
CR
CR
Notes:
1.
2.
The diagram shows only supported (tested) synchronous state transitions. The diagram presumes G is tied low.
The upper portion of the diagram assumes active use of only the Enable (E1) and Write (B
A
, B
B
, B
C
, B
D
, BW, and GW) control inputs, and
that ADSP is tied high and ADSC is tied low.
The upper and lower portions of the diagram together assume active use of only the Enable, Write, and ADSC control inputs, and
assumes ADSP is tied high and ADV is tied low.
3.
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| GS881E18AD-225 | 512K x 18, 256K x 36 9Mb Synchronous Burst SRAMs |
| GS881E18AD-225I | 512K x 18, 256K x 36 9Mb Synchronous Burst SRAMs |
| GS881E18AD-225IT | 512K x 18, 256K x 36 9Mb Synchronous Burst SRAMs |
| GS881E18AD-225T | 512K x 18, 256K x 36 9Mb Synchronous Burst SRAMs |
| GS881E18AD-250 | 512K x 18, 256K x 36 9Mb Synchronous Burst SRAMs |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| GS881E18AD-225 | 制造商:GSI 制造商全稱:GSI Technology 功能描述:512K x 18, 256K x 36 9Mb Synchronous Burst SRAMs |
| GS881E18AD-225I | 制造商:GSI 制造商全稱:GSI Technology 功能描述:512K x 18, 256K x 36 9Mb Synchronous Burst SRAMs |
| GS881E18AD-225IT | 制造商:GSI 制造商全稱:GSI Technology 功能描述:512K x 18, 256K x 36 9Mb Synchronous Burst SRAMs |
| GS881E18AD-225T | 制造商:GSI 制造商全稱:GSI Technology 功能描述:512K x 18, 256K x 36 9Mb Synchronous Burst SRAMs |
| GS881E18AD-250 | 制造商:GSI 制造商全稱:GSI Technology 功能描述:512K x 18, 256K x 36 9Mb Synchronous Burst SRAMs |
發布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。