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參數資料
型號: GS881E18AT-150T
廠商: GSI TECHNOLOGY
元件分類: DRAM
英文描述: 512K x 18, 256K x 36 9Mb Synchronous Burst SRAMs
中文描述: 512K X 18 CACHE SRAM, 7.5 ns, PQFP100
封裝: TQFP-100
文件頁數: 4/37頁
文件大?。?/td> 662K
代理商: GS881E18AT-150T
Revision: 2/3/05
GS881E18/32/36AD
Supplemental Datasheet Information
165 Bump BGA—x36 Common I/O—Top View (Package D)
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11 x 15 Bump BGA—13mm x 15 mm Body—1.0 mm Bump Pitch
相關PDF資料
PDF描述
GS881E18AT-166 512K x 18, 256K x 36 9Mb Synchronous Burst SRAMs
GS881E18AT-166I 512K x 18, 256K x 36 9Mb Synchronous Burst SRAMs
GS881E18AT-166IT 512K x 18, 256K x 36 9Mb Synchronous Burst SRAMs
GS881E18AT-166T 512K x 18, 256K x 36 9Mb Synchronous Burst SRAMs
GS881E18AT-200 512K x 18, 256K x 36 9Mb Synchronous Burst SRAMs
相關代理商/技術參數
參數描述
GS881E18AT-166 制造商:GSI 制造商全稱:GSI Technology 功能描述:512K x 18, 256K x 36 9Mb Synchronous Burst SRAMs
GS881E18AT-166I 制造商:GSI 制造商全稱:GSI Technology 功能描述:512K x 18, 256K x 36 9Mb Synchronous Burst SRAMs
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