欧美成人免费电影,国产欧美一区二区三区精品酒店,精品国产a毛片,色网在线免费观看

參數資料
型號： GS881E18AT-166T
廠商： GSI TECHNOLOGY
元件分類： DRAM
英文描述： 512K x 18, 256K x 36 9Mb Synchronous Burst SRAMs
中文描述： 512K X 18 CACHE SRAM, 7 ns, PQFP100
封裝： TQFP-100
文件頁數： 20/37頁
文件大小： 662K
代理商： GS881E18AT-166T
GS881E18/36AT-250/225/200/166/150/133
Specifications cited are subject to change without notice. For latest documentation see http://www.gsitechnology.com.
Rev: 1.03 11/2004
12/29
2001, GSI Technology
V
DDQ3
Range Logic Levels
Parameter
Symbol
Min.
Typ.
Max.
Unit
Notes
V
DD
Input High Voltage
V
IH
2.0
—
V
DD
+ 0.3
V
1
V
DD
Input Low Voltage
V
IL
–
0.3
—
0.8
V
1
V
DDQ
I/O Input High Voltage
V
IHQ
2.0
—
V
DDQ
+ 0.3
V
1,3
V
DDQ
I/O Input Low Voltage
V
ILQ
–
0.3
—
0.8
V
1,3
Notes:
1.
The part numbers of Industrial Temperature Range versions end the character “I”. Unless otherwise noted, all performance specifica-
tions quoted are evaluated for worst case in the temperature range marked on the device.
Input Under/overshoot voltage must be
–
2 V > Vi < V
DDn
+2 V not to exceed 4.6 V maximum, with a pulse width not to exceed 20% tKC.
V
IHQ
(max) is voltage on V
DDQ
pins plus 0.3 V.
2.
3.
V
DDQ2
Range Logic Levels
Parameter
Symbol
Min.
Typ.
Max.
Unit
Notes
V
DD
Input High Voltage
V
IH
0.6*V
DD
—
V
DD
+ 0.3
V
1
V
DD
Input Low Voltage
V
IL
–
0.3
—
0.3*V
DD
V
1
V
DDQ
I/O Input High Voltage
V
IHQ
0.6*V
DD
—
V
DDQ
+ 0.3
V
1,3
V
DDQ
I/O Input Low Voltage
V
ILQ
–
0.3
—
0.3*V
DD
V
1,3
Notes:
1.
The part numbers of Industrial Temperature Range versions end the character “I”. Unless otherwise noted, all performance specifica-
tions quoted are evaluated for worst case in the temperature range marked on the device.
Input Under/overshoot voltage must be
–
2 V > Vi < V
DDn
+2 V not to exceed 4.6 V maximum, with a pulse width not to exceed 20% tKC.
V
IHQ
(max) is voltage on V
DDQ
pins plus 0.3 V.
2.
3.
Recommended Operating Temperatures
Parameter
Symbol
Min.
Typ.
Max.
Unit
Notes
Ambient Temperature (Commercial Range Versions)
T
A
0
25
70
°
C
2
Ambient Temperature (Industrial Range Versions)
T
A
–
40
25
85
°
C
2
Notes:
1.
The part numbers of Industrial Temperature Range versions end the character “I”. Unless otherwise noted, all performance specifica-
tions quoted are evaluated for worst case in the temperature range marked on the device.
Input Under/overshoot voltage must be
–
2 V > Vi < V
DDn
+2 V not to exceed 4.6 V maximum, with a pulse width not to exceed 20% tKC.
2.
相關PDF資料
PDF描述
GS881E18AT-200 512K x 18, 256K x 36 9Mb Synchronous Burst SRAMs
GS881E18AT-200I 512K x 18, 256K x 36 9Mb Synchronous Burst SRAMs
GS881E18AT-200IT 512K x 18, 256K x 36 9Mb Synchronous Burst SRAMs
GS881E32AD-225T 512K x 18, 256K x 36 9Mb Synchronous Burst SRAMs
GS881E32AD-250 512K x 18, 256K x 36 9Mb Synchronous Burst SRAMs
相關代理商/技術參數
參數描述
GS881E18AT-200 制造商:GSI 制造商全稱:GSI Technology 功能描述:512K x 18, 256K x 36 9Mb Synchronous Burst SRAMs
GS881E18AT-200I 制造商:GSI 制造商全稱:GSI Technology 功能描述:512K x 18, 256K x 36 9Mb Synchronous Burst SRAMs
GS881E18AT-200IT 制造商:GSI 制造商全稱:GSI Technology 功能描述:512K x 18, 256K x 36 9Mb Synchronous Burst SRAMs
GS881E18AT-200T 制造商:GSI 制造商全稱:GSI Technology 功能描述:512K x 18, 256K x 36 9Mb Synchronous Burst SRAMs
GS881E18AT-225 制造商:GSI 制造商全稱:GSI Technology 功能描述:512K x 18, 256K x 36 9Mb Synchronous Burst SRAMs
發布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

發布成功！您可以繼續發布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

發布成功！您可以繼續發布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

*型號 *數量 廠商 批號 封裝
添加更多采購

我的聯系方式

*
*
*
主站蜘蛛池模板： 汶上县| 武邑县| 鹿邑县| 绍兴市| 白银市| 高青县| 英山县| 台州市| 秭归县| 皋兰县| 抚远县| 桃江县| 禹城市| 泉州市| 绥阳县| 东明县| 晋城| 涟源市| 东海县| 峨边| 肥西县| 辽源市| 平顺县| 大同市| 龙泉市| 白玉县| 那曲县| 平乡县| 金华市| 东辽县| 扬中市| 宁城县| 晋江市| 呼和浩特市| 临澧县| 苏尼特右旗| 桦甸市| 平安县| 资兴市| 巨鹿县| 余江县|