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參數(shù)資料
型號: GS881E18AT-200
廠商: GSI TECHNOLOGY
元件分類: DRAM
英文描述: 512K x 18, 256K x 36 9Mb Synchronous Burst SRAMs
中文描述: 512K X 18 CACHE SRAM, 6.5 ns, PQFP100
封裝: TQFP-100
文件頁數(shù): 3/37頁
文件大小: 662K
代理商: GS881E18AT-200
Revision: 2/3/05
GS881E18/32/36AD
Supplemental Datasheet Information
165 Bump BGA—x32 Common I/O—Top View (Package D)
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11 x 15 Bump BGA—13mm x 15 mm Body—1.0 mm Bump Pitch
相關(guān)PDF資料
PDF描述
GS881E18AT-200I 512K x 18, 256K x 36 9Mb Synchronous Burst SRAMs
GS881E18AT-200IT 512K x 18, 256K x 36 9Mb Synchronous Burst SRAMs
GS881E32AD-225T 512K x 18, 256K x 36 9Mb Synchronous Burst SRAMs
GS881E32AD-250 512K x 18, 256K x 36 9Mb Synchronous Burst SRAMs
GS881E32AD-250I 512K x 18, 256K x 36 9Mb Synchronous Burst SRAMs
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
GS881E18AT-200I 制造商:GSI 制造商全稱:GSI Technology 功能描述:512K x 18, 256K x 36 9Mb Synchronous Burst SRAMs
GS881E18AT-200IT 制造商:GSI 制造商全稱:GSI Technology 功能描述:512K x 18, 256K x 36 9Mb Synchronous Burst SRAMs
GS881E18AT-200T 制造商:GSI 制造商全稱:GSI Technology 功能描述:512K x 18, 256K x 36 9Mb Synchronous Burst SRAMs
GS881E18AT-225 制造商:GSI 制造商全稱:GSI Technology 功能描述:512K x 18, 256K x 36 9Mb Synchronous Burst SRAMs
GS881E18AT-225I 制造商:GSI 制造商全稱:GSI Technology 功能描述:512K x 18, 256K x 36 9Mb Synchronous Burst SRAMs
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