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參數(shù)資料
型號(hào)： GS881E18AT-200I
廠商： GSI TECHNOLOGY
元件分類： DRAM
英文描述： 512K x 18, 256K x 36 9Mb Synchronous Burst SRAMs
中文描述： 512K X 18 CACHE SRAM, 6.5 ns, PQFP100
封裝： TQFP-100
文件頁(yè)數(shù)： 37/37頁(yè)
文件大小： 662K
代理商： GS881E18AT-200I
GS881E18/36AT-250/225/200/166/150/133
Specifications cited are subject to change without notice. For latest documentation see http://www.gsitechnology.com.
Rev: 1.03 11/2004
29/29
2001, GSI Technology
9Mb Sync SRAM Datasheet Revision History
DS/DateRev. Code: Old;
New
Types of Changes
Format or Content
Page;Revisions;Reason
881E18A_r1
Creation of new datasheet
881E18A_r1;
881E18A_r1_01
Content
Updated AC Characteristics table
Updated FT power numbers
Updated Mb references from 8Mb to 9Mb
Removed ByteSafe references
Changed DP pin to NC
Updated ZZ recovery time diagram
Added E2 to pinout (pin 97) and pin description table
Updated AC Test Conditions table and removed Output Load
2 diagram
Removed Preliminary banner
Removed pin locations from pin description table
Removed BSR table
Updated format
Updated timing diagrams
Updated mechanical drawings
881E18A_r1_01;
881E18A_r1_02
Content
881E18A_r1_02;
881E18A_r1_03
Format/Content
相關(guān)PDF資料
PDF描述
GS881E18AT-200IT 512K x 18, 256K x 36 9Mb Synchronous Burst SRAMs
GS881E32AD-225T 512K x 18, 256K x 36 9Mb Synchronous Burst SRAMs
GS881E32AD-250 512K x 18, 256K x 36 9Mb Synchronous Burst SRAMs
GS881E32AD-250I 512K x 18, 256K x 36 9Mb Synchronous Burst SRAMs
GS881E32AD-250IT 512K x 18, 256K x 36 9Mb Synchronous Burst SRAMs
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參數(shù)描述
GS881E18AT-200IT 制造商:GSI 制造商全稱:GSI Technology 功能描述:512K x 18, 256K x 36 9Mb Synchronous Burst SRAMs
GS881E18AT-200T 制造商:GSI 制造商全稱:GSI Technology 功能描述:512K x 18, 256K x 36 9Mb Synchronous Burst SRAMs
GS881E18AT-225 制造商:GSI 制造商全稱:GSI Technology 功能描述:512K x 18, 256K x 36 9Mb Synchronous Burst SRAMs
GS881E18AT-225I 制造商:GSI 制造商全稱:GSI Technology 功能描述:512K x 18, 256K x 36 9Mb Synchronous Burst SRAMs
GS881E18AT-225IT 制造商:GSI 制造商全稱:GSI Technology 功能描述:512K x 18, 256K x 36 9Mb Synchronous Burst SRAMs
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