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參數(shù)資料
型號(hào)： GS881E36AD-250
廠商： GSI TECHNOLOGY
元件分類： DRAM
英文描述： 512K x 18, 256K x 36 9Mb Synchronous Burst SRAMs
中文描述： 256K X 36 CACHE SRAM, 5.5 ns, PBGA165
封裝： 13 X 15 MM, 1 MM PITCH, FBGA-165
文件頁(yè)數(shù)： 14/37頁(yè)
文件大?。?/td> 662K
代理商： GS881E36AD-250
GS881E18/36AT-250/225/200/166/150/133
Specifications cited are subject to change without notice. For latest documentation see http://www.gsitechnology.com.
Rev: 1.03 11/2004
6/29
2001, GSI Technology
Mode Pin Functions
Note:
There are pull-up devices on the ZQ and FT pins and a pull-down device on the ZZ pin, so those input pins can be unconnected and the chip
will operate in the default states as specified in the above tables.
Burst Counter Sequences
BPR 1999.05.18
Mode Name
Pin Name
State
L
H
L
H or NC
L or NC
Function
Linear Burst
Interleaved Burst
Flow Through
Pipeline
Active
Standby, I
DD
= I
SB
Burst Order Control
LBO
Output Register Control
FT
Power Down Control
ZZ
H
Note:
The burst counter wraps to initial state on the 5th clock.
Note:
The burst counter wraps to initial state on the 5th clock.
Linear Burst Sequence
A[1:0] A[1:0] A[1:0] A[1:0]
1st address
00
01
10
11
2nd address
01
10
11
00
3rd address
10
11
00
01
4th address
11
00
01
10
Interleaved Burst Sequence
A[1:0] A[1:0] A[1:0] A[1:0]
1st address
00
01
10
11
2nd address
01
00
11
10
3rd address
10
11
00
01
4th address
11
10
01
00
相關(guān)PDF資料
PDF描述
GS881E36AD-250I 512K x 18, 256K x 36 9Mb Synchronous Burst SRAMs
GS881E36AD-250IT 512K x 18, 256K x 36 9Mb Synchronous Burst SRAMs
GS881E36AD-250T 512K x 18, 256K x 36 9Mb Synchronous Burst SRAMs
GS881E36AT-133 512K x 18, 256K x 36 9Mb Synchronous Burst SRAMs
GS881E36AT-133I 512K x 18, 256K x 36 9Mb Synchronous Burst SRAMs
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參數(shù)描述
GS881E36AD-250I 制造商:GSI 制造商全稱:GSI Technology 功能描述:512K x 18, 256K x 36 9Mb Synchronous Burst SRAMs
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