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參數(shù)資料
型號: GS881E36AT-166IT
廠商: GSI TECHNOLOGY
元件分類: DRAM
英文描述: 512K x 18, 256K x 36 9Mb Synchronous Burst SRAMs
中文描述: 256K X 36 CACHE SRAM, 7 ns, PQFP100
封裝: TQFP-100
文件頁數(shù): 33/37頁
文件大小: 662K
代理商: GS881E36AT-166IT
GS881E18/36AT-250/225/200/166/150/133
Specifications cited are subject to change without notice. For latest documentation see http://www.gsitechnology.com.
Rev: 1.03 11/2004
25/29
2001, GSI Technology
JTAG Port Recommended Operating Conditions and DC Characteristics
JTAG Port AC Test Conditions
Parameter
Symbol
V
IHJ3
V
ILJ3
V
IHJ2
V
ILJ2
I
INHJ
I
INLJ
I
OLJ
V
OHJ
V
OLJ
V
OHJC
V
OLJC
Min.
Max.
V
DD3
+0.3
Unit Notes
3.3 V Test Port Input High Voltage
2.0
V
1
3.3 V Test Port Input Low Voltage
0.3
0.8
V
1
2.5 V Test Port Input High Voltage
0.6 * V
DD2
V
DD2
+0.3
0.3 * V
DD2
V
1
2.5 V Test Port Input Low Voltage
0.3
V
1
TMS, TCK and TDI Input Leakage Current
300
1
uA
2
TMS, TCK and TDI Input Leakage Current
1
100
uA
3
TDO Output Leakage Current
1
1
uA
4
Test Port Output High Voltage
1.7
V
5, 6
Test Port Output Low Voltage
0.4
V
5, 7
Test Port Output CMOS High
V
DDQ
– 100 mV
V
5, 8
Test Port Output CMOS Low
100 mV
V
5, 9
Notes:
1.
2.
3.
4.
5.
6.
7.
8.
9.
Input Under/overshoot voltage must be
2 V > Vi < V
DDn
+2 V not to exceed 4.6 V maximum, with a pulse width not to exceed 20% tTKC.
V
ILJ
V
IN
V
DDn
0 V
V
IN
V
ILJn
Output Disable, V
OUT
= 0 to V
DDn
The TDO output driver is served by the V
DDQ
supply.
I
OHJ
=
4 mA
I
OLJ
= + 4 mA
I
OHJC
= –100 uA
I
OHJC
= +100 uA
Notes:
1.
2.
Include scope and jig capacitance.
Test conditions as shown unless otherwise noted.
Parameter
Conditions
V
DD
– 0.2 V
0.2 V
1 V/ns
V
DDQ
/2
V
DDQ
/2
Input high level
Input low level
Input slew rate
Input reference level
Output reference level
DQ
V
DDQ
/2
50
30pF
*
JTAG Port AC Test Load
* Distributed Test Jig Capacitance
相關PDF資料
PDF描述
GS881E36AT-166T 512K x 18, 256K x 36 9Mb Synchronous Burst SRAMs
GS881E36AT-200 512K x 18, 256K x 36 9Mb Synchronous Burst SRAMs
GS881E36AT-200I 512K x 18, 256K x 36 9Mb Synchronous Burst SRAMs
GS881E36AT-200IT 512K x 18, 256K x 36 9Mb Synchronous Burst SRAMs
GS881E36AT-200T 512K x 18, 256K x 36 9Mb Synchronous Burst SRAMs
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
GS881E36AT-166T 制造商:GSI 制造商全稱:GSI Technology 功能描述:512K x 18, 256K x 36 9Mb Synchronous Burst SRAMs
GS881E36AT-200 制造商:GSI 制造商全稱:GSI Technology 功能描述:512K x 18, 256K x 36 9Mb Synchronous Burst SRAMs
GS881E36AT-200I 制造商:GSI 制造商全稱:GSI Technology 功能描述:512K x 18, 256K x 36 9Mb Synchronous Burst SRAMs
GS881E36AT-200IT 制造商:GSI 制造商全稱:GSI Technology 功能描述:512K x 18, 256K x 36 9Mb Synchronous Burst SRAMs
GS881E36AT-200T 制造商:GSI 制造商全稱:GSI Technology 功能描述:512K x 18, 256K x 36 9Mb Synchronous Burst SRAMs
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