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參數資料
| 型號： | GS88218BB-250V |
| 廠商： | GSI TECHNOLOGY |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 512K x 18, 256K x 36 9Mb SCD/DCD Sync Burst SRAMs |
| 中文描述： | 512K X 18 CACHE SRAM, 5.5 ns, PBGA119 |
| 封裝： | FPBGA-119 |
| 文件頁數： | 9/35頁 |
| 文件大?。?/td> | 863K |
| 代理商： | GS88218BB-250V |
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GS88218/36B(B/D)-xxxV
Rev: 1.03 6/2006
Specifications cited are subject to change without notice. For latest documentation see http://www.gsitechnology.com.
9/35
2002, GSI Technology
Byte Write Truth Table
Function
GW
BW
B
A
B
B
B
C
B
D
Notes
Read
H
H
X
X
X
X
1
Read
H
L
H
H
H
H
1
Write byte a
H
L
L
H
H
H
2, 3
Write byte b
H
L
H
L
H
H
2, 3
Write byte c
H
L
H
H
L
H
2, 3, 4
Write byte d
H
L
H
H
H
L
2, 3, 4
Write all bytes
H
L
L
L
L
L
2, 3, 4
Write all bytes
Notes:
1.
All byte outputs are active in read cycles regardless of the state of Byte Write Enable inputs.
2.
Byte Write Enable inputs B
A
, B
B
, B
C
, and/or B
D
may be used in any combination with BW to write single or multiple bytes.
3.
All byte I/Os remain High-Z during all write operations regardless of the state of Byte Write Enable inputs.
4.
Bytes “
C
” and “
D
” are only available on the x36 version.
L
X
X
X
X
X
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| GS88218BB-V | 512K x 18, 256K x 36 9Mb SCD/DCD Sync Burst SRAMs |
| GS88218BGB-150IV | 512K x 18, 256K x 36 9Mb SCD/DCD Sync Burst SRAMs |
| GS88218BB-300 | 512K x 18, 256K x 36 9Mb SCD/DCD Sync Burst SRAMs |
| GS88218BB-333 | 512K x 18, 256K x 36 9Mb SCD/DCD Sync Burst SRAMs |
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相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
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| GS88218CB-200I | 制造商:GSI Technology 功能描述:SRAM SYNC DUAL 2.5V/3.3V 9MBIT 512KX18 6.5NS/3NS 119FPBGA - Trays |
| GS88218CB-200IV | 制造商:GSI Technology 功能描述:SRAM SYNC DUAL 1.8V/2.5V 9MBIT 512KX18 6.5NS/3NS 119FPBGA - Trays |
| GS88218CB-200V | 制造商:GSI Technology 功能描述:SRAM SYNC DUAL 1.8V/2.5V 9MBIT 512KX18 6.5NS/3NS 119FPBGA - Trays |
| GS88218CB-250 | 制造商:GSI Technology 功能描述:SRAM SYNC DUAL 2.5V/3.3V 9MBIT 512KX18 5.5NS/2.5NS 119FPBGA - Trays |
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