- 您現在的位置：買賣IC網 > PDF目錄385343 > GS88218BD-200 (GSI TECHNOLOGY) 512K x 18, 256K x 36 9Mb SCD/DCD Sync Burst SRAMs PDF資料下載
參數資料
| 型號： | GS88218BD-200 |
| 廠商： | GSI TECHNOLOGY |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 512K x 18, 256K x 36 9Mb SCD/DCD Sync Burst SRAMs |
| 中文描述： | 512K X 18 CACHE SRAM, 6.5 ns, PBGA165 |
| 封裝： | 13 X 15 MM, 1 MM PITCH, FPBGA-165 |
| 文件頁數： | 6/37頁 |
| 文件大小： | 751K |
| 代理商： | GS88218BD-200 |
第1頁第2頁第3頁第4頁第5頁當前第6頁第7頁第8頁第9頁第10頁第11頁第12頁第13頁第14頁第15頁第16頁第17頁第18頁第19頁第20頁第21頁第22頁第23頁第24頁第25頁第26頁第27頁第28頁第29頁第30頁第31頁第32頁第33頁第34頁第35頁第36頁第37頁
GS88218/36BB/D-333/300/250/200/150
Rev: 1.02 10/2004
Specifications cited are subject to change without notice. For latest documentation see http://www.gsitechnology.com.
6/37
2002, GSI Technology
GS88218/36 BGA Pin Description
Symbol
A
0
, A
1
A
DQ
A
DQ
B
DQ
C
DQ
D
B
A
, B
B
, B
C
, B
D
NC
NC
CK
BW
GW
E
1
E
3
E
2
G
ADV
ADSC, ADSP
ZZ
FT
LBO
PE
Type
I
I
Description
Address field LSBs and Address Counter Preset Inputs
Address Inputs
I/O
Data Input and Output pins
I
Byte Write Enable for DQ
A
, DQ
B
, DQ
C
, DQ
D
I/Os; active low
No Connect
No Connect
Clock Input Signal; active high
Byte Write—Writes all enabled bytes; active low
Global Write Enable—Writes all bytes; active low
Chip Enable; active low
Chip Enable; active low
Chip Enable; active high
Output Enable; active low
Burst address counter advance enable; active l0w
Address Strobe (Processor, Cache Controller); active low
Sleep mode control; active high
Flow Through or Pipeline mode; active low
Linear Burst Order mode; active low
Parity Enable; active low (119-bump BGA only)
FLXDrive Output Impedance Control (Low = Low Impedance [High Drive], High = High Impedance [Low
Drive])
—
—
I
I
I
I
I
I
I
I
I
I
I
I
I
ZQ
I
TMS
I
Scan Test Mode Select
TDI
I
Scan Test Data In
TDO
O
Scan Test Data Out
TCK
I
Scan Test Clock
MCL
—
Must Connect Low
SCD
V
DD
V
SS
V
DDQ
—
Single Cycle Deselect/Dual Cyle Deselect Mode Control
I
Core power supply
I
I/O and Core Ground
I
Output driver power supply
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| GS88218BD-200I | 512K x 18, 256K x 36 9Mb SCD/DCD Sync Burst SRAMs |
| GS88218BD-250 | 512K x 18, 256K x 36 9Mb SCD/DCD Sync Burst SRAMs |
| GS88218BD-250I | 512K x 18, 256K x 36 9Mb SCD/DCD Sync Burst SRAMs |
| GS88218BD-300 | 512K x 18, 256K x 36 9Mb SCD/DCD Sync Burst SRAMs |
| GS88218BD-300I | 512K x 18, 256K x 36 9Mb SCD/DCD Sync Burst SRAMs |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| GS88218CB-200 | 制造商:GSI Technology 功能描述:SRAM SYNC DUAL 2.5V/3.3V 9MBIT 512KX18 6.5NS/3NS 119FPBGA - Trays |
| GS88218CB-200I | 制造商:GSI Technology 功能描述:SRAM SYNC DUAL 2.5V/3.3V 9MBIT 512KX18 6.5NS/3NS 119FPBGA - Trays |
| GS88218CB-200IV | 制造商:GSI Technology 功能描述:SRAM SYNC DUAL 1.8V/2.5V 9MBIT 512KX18 6.5NS/3NS 119FPBGA - Trays |
| GS88218CB-200V | 制造商:GSI Technology 功能描述:SRAM SYNC DUAL 1.8V/2.5V 9MBIT 512KX18 6.5NS/3NS 119FPBGA - Trays |
| GS88218CB-250 | 制造商:GSI Technology 功能描述:SRAM SYNC DUAL 2.5V/3.3V 9MBIT 512KX18 5.5NS/2.5NS 119FPBGA - Trays |
發布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。